PHP109_集成电路资料查询网

1997 六月 18 7
飞利浦 半导体 产品 规格
p-频道 增强 模式
mos 晶体管
PHP109
图.9 流 源 在-状态 阻抗 作 一个
函数 的 门-源 电压; 典型
值.
handbook, halfpage
−
10
V
GS
(v)
0
MGD388
10
3
10
2
10
−
2
−
4
−
6
R
DSon
(m
Ω
)
−
8
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
V
DS
≥
I
D
×
R
DSon
; t
j
=25
°
c.
(1) I
D
=
−
100 毫安.
(2) I
D
=
−
500 毫安.
(3) I
D
=
−
1.25 一个.
(4) I
D
=
−
2.5 一个.
(5) I
D
=
−
5a.
(6) I
D
=
−
7a.
图.10 电容 作 一个 函数 的 流-源
电压; 典型 值.
V
GS
= 0; f = 1 mhz; t
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
0
2500
1500
2000
1000
500
0
−
8
−
16
−
24
MGD383
C
(pf)
V
DS
(v)
C
iss
C
oss
C
rss
图.11  切换 时间 测试 电路 和 输入 和 输出 波形.
handbook, 全部 pagewidth
MGD391
10 %
90 %
V
在
V
输出
t
d(在)
t
在
t
止
t
r
t
f
t
d(止)
10 %
90 %
10 %
90 %
0
0
−
V
DD
R
L
V
输出
V
在

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

1997 六月 18 7 飞利浦半导体产品规格 p-频道增强模式 mos 晶体管 PHP109 图.9 流源在-状态阻抗作一个函数的门-源电压; 典型值. handbook, halfpage − 10 V GS (v) 0 MGD388 10 3 10 2 10 − 2 − 4 − 6 R DSon (m Ω ) − 8 (1) (2) (3) (4) (5) (6) V DS ≥ I D × R DSon ; t j =25 ° c. (1) I D = − 100 毫安. (2) I D = − 500 毫安. (3) I D = − 1.25 一个. (4) I D = − 2.5 一个. (5) I D = − 5a. (6) I D = − 7a. 图.10 电容作一个函数的流-源电压; 典型值. V GS = 0; f = 1 mhz; t j =25 ° c. handbook, halfpage 0 2500 1500 2000 1000 500 0 − 8 − 16 − 24 MGD383 C (pf) V DS (v) C iss C oss C rss 图.11 切换时间测试电路和输入和输出波形. handbook, 全部 pagewidth MGD391 10 % 90 % V 在 V 输出 t d(在) t 在 t 止 t r t f t d(止) 10 % 90 % 10 % 90 % 0 0 − V DD R L V 输出 V 在

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com