飞利浦 半导体 产品 规格
TrenchMOS
晶体管 php14nq20t, phb14nq20t
图.1. normalised 电源 消耗.
pd% = 100
⋅
P
D
/p
d 25 ˚c
= f(t
mb
)
图.2. normalised 持续的 流 电流.
id% = 100
⋅
I
D
/i
d 25 ˚c
= f(t
mb
); 情况: v
GS
≥
10 v
图.3. safe 运行 范围. t
mb
= 25 ˚c
I
D
&放大; i
DM
= f(v
DS
); i
DM
单独的 脉冲波; 参数 t
p
图.4. 瞬时 热的 阻抗.
Z
th j-mb
= f(t); 参数 d = t
p
/t
图.5. 典型 输出 特性, t
j
= 25 ˚c
.
I
D
= f(v
DS
); 参数 v
GS
图.6. 典型 在-状态 阻抗, t
j
= 25 ˚c
.
R
ds(在)
= f(i
D
); 参数 v
GS
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
tmb / c
PD%
normalised 电源 减额
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.01
0.1
1
10
1e-06 1e-05 1e-04 1e-03 1e-02 1e-01 1E+00 1E+01
脉冲波 宽度, tp (s)
瞬时 热的 阻抗, zth j-一个 (k/w)
单独的 脉冲波
d = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
tmb / c
ID%
normalised 电流 减额
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
20
25
30
012345678910
流-源 电压, vds (v)
流 电流, id (一个)
vgs=4.5
5 v
5.5
6 v
10V
6.5v
15V
0.1
1
10
100
1000
1 10 100 1000
流-源 电压, vds (v)
顶峰 搏动 流 电流, idm (一个)
d.c.
100 ms
10 ms
rds(在) = vds/ id
1 ms
tp = 1 美国
100us
10us
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
01020
流 电流, id (一个)
流-源 在 阻抗, rds(在) (ohms)
vgs =20 v
5.5v
6.5v
6V
5V
4.5v
10V
october 1999 4 rev 1.000
: 点此下载
