飞利浦 半导体 产品 规格
TrenchMOS
晶体管 php14nq20t, phb14nq20t
图.13. 典型 转变-在 门-承担 特性.
V
GS
= f(q
G
); 情况: i
D
= 14 一个; 参数 v
DS
图.14. 典型 反转 二极管 电流.
I
F
= f(v
SDS
); 情况: v
GS
= 0 v; 参数 t
j
图.15. 最大 容许的 非-repetitive
avalanche 电流 (i
作
) 相比
.
avalanche 时间 (t
AV
);
unclamped inductive 加载
0
2
4
6
8
10
12
14
0 10203040
门 承担, qg (nc)
门-源 电压, vgs (v)
vdd = 160 v
vdd = 40 v
0.1
1
10
100
0.001 0.01 0.1 1 10
avalanche 时间, t
AV
(ms)
最大 avalanche 电流, i
作
(一个)
tj 较早的 至 avalanche = 150 c
25 c
0
10
20
30
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
源-流 电压, vsds (v)
源-流 二极管 电流, 如果 (一个)
tj = 25 c
175 c
vgs = 0 v
october 1999 6 rev 1.000