飞利浦 半导体 产品 规格
TrenchMOS
晶体管 PHP125N06T
标准 水平的 场效应晶体管
图.1. normalised 电源 消耗.
pd% = 100
⋅
P
D
/p
d 25 ˚c
= f(t
mb
)
图.2. normalised 持续的 流 电流.
id% = 100
⋅
I
D
/i
d 25 ˚c
= f(t
mb
); 情况: v
GS
≥
5 v
图.3. safe 运行 范围. t
mb
= 25 ˚c
I
D
&放大; i
DM
= f(v
DS
); i
DM
单独的 脉冲波; 参数 t
p
图.4. 瞬时 热的 阻抗.
Z
th j-mb
= f(t); 参数 d = t
p
/t
图.5. 典型 输出 特性, t
j
= 25 ˚c
.
I
D
= f(v
DS
); 参数 v
GS
图.6. 典型 在-状态 阻抗, t
j
= 25 ˚c
.
R
ds(在)
= f(i
D
); 参数 v
GS
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
tmb / c
PD%
normalised 电源 减额
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1e-07 1e-05 1e-03 1e-01 1E+01
t / s
zth / (k/w)
1E+00
1e-01
1e-02
1e-03
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
d =
t
p
t
p
T
T
P
t
D
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
tmb / c
id (一个)
电流 减额
150
125
100
75
50
25
0
限制 用 包装
0246810
0
20
40
60
80
100
vgs/v = 6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
6.516
10
id/一个
vds/v
vds / v
id / 一个
100 美国
1 ms
10 ms
100 ms
1
10
100
1000
1
10
rds(在) = vds/id
直流
100
bukx508-55
tp = 10 美国
0 20406080100120
0
5
10
15
rds(在)/mohm
id/一个
10
8
7
6.5
65.5
buk7508-55
vgs/v=
12月 1997 4 rev 1.100
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