飞利浦 半导体 产品 规格
TrenchMOS
晶体管 PHP87N03T
标准 水平的 场效应晶体管
图.7. 典型 转移 特性.
I
D
= f(v
GS
)
; 情况: v
DS
= 25 v; 参数 t
j
图.8. 典型 跨导, t
j
= 25 ˚c
.
g
fs
= f(i
D
); 情况: v
DS
= 25 v
图.9. normalised 流-源 在-状态 阻抗.
一个 = r
ds(在)
/r
ds(在)25 ˚c
= f(t
j
); i
D
= 25 一个; v
GS
= 10 v
图.10. 门 门槛 电压.
V
gs(至)
= f(t
j
); 情况: i
D
= 1 毫安; v
DS
= v
GS
图.11. sub-门槛 流 电流.
I
D
= f(v
gs)
; 情况: t
j
= 25 ˚c; v
DS
= v
GS
图.12. 典型 capacitances, c
iss
, c
oss
, c
rss
.
c = f(v
DS
); 情况: v
GS
= 0 v; f = 1 mhz
0246810
0
20
40
60
80
100
7510-30
vgs / v
id / 一个
tj / c = 25 175
buk759-60
-100 -50 0 50 100 150 200
0
1
2
3
4
5
tj / c
vgs(至) / v
最大值
典型值
最小值
0 20406080100
0
10
20
30
40
7510-30
id / 一个
gfs / s
tj / c = 25
175
012345
1e-06
1e-05
1e-04
1e-03
1e-02
1e-01
sub-门槛 传导
典型值
2%
98%
-100 0 100 200
0
0.5
1
1.5
2
30v trenchmos
tj / c
一个
15050-50
0.1 1 10 100
100
1000
10000
7510-30
vds / v
c / pf
Ciss
Coss
Crss
九月 1997 5 rev 1.100
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