PI3B16233
3.3v, 16-位 至 32-位
场效应晶体管 mux/demux nanoswitch
2
ps8171e 09/29/04
12345678901234567890123456789012123456789012345678901234567890121234567890123456789012345678901212345678901234567890123456789012123456789012
注释:
1. 为 最大值 或者 最小值 情况, 使用 适合的 值 指定 下面 电的 特性 为 这 适用 设备 类型.
2. 典型 值 是 在 v
CC
= 3.3v, t
一个
= 25°c 包围的 和 最大 加载.
3. 量过的 用 这 电压 漏出 在 一个 和 b 管脚 在 表明 电流 通过 这 转变. 在 阻抗 是 决定
用 这 更小的 的 这 电压 在 这 二 (一个,b) 管脚.
4. 这个 参数 是 决定 用 设备 描绘 但是 是 不 生产 测试.
电容
(t
一个
= 25°c, f = 1 mhz)
最大 比率
(在之上 这个 这 有用的 生命 将 是 impaired. 为 用户 指导原则, 不 测试.)
存储 温度 ...................................................... –65°c 至 +150°c
包围的 温度 和 电源 应用 ...................... –40°c 至 +85°c
供应 电压 范围 ....................................................... –0.5v 至 +4.6v
直流 输入 电压 ............................................................... –0.5v 至 +4.6v
直流 输出 电流 ........................................................................ 120mA
电源 消耗 ............................................................................. 0.5w
便条:
压力 更好 比 那些 列表 下面 最大 rat-
ings 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个
压力 比率 仅有的 和 函数的 运作 的 这 设备 在 这些
或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的
sections 的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至
绝对 最大 比率 情况 为 扩展 时期 将
影响 可靠性.
直流 电的 特性
(在 这 运行 范围, t
一个
= –40°c 至 +85°c, v
CC
= 3.0v 至 3.6v)
sretemaraPnoitpircseDsnoitidnoCtseT
)1(
.nim.pyT
)2(
.xaMstinU
V
HI
egatloVHGIHtupnIleveLhgiHcigoLdeetnarauG0.2
V
V
LI
egatloVWOLtupnIleveLwoLcigoLdeetnarauG5.0–8.0
I
HI
tnerruCHGIHtupnIV
CC
v;.xam=
NI
V=
CC
1±
Aµ
I
LI
tnerruCWOLtupnIV
CC
v;.xam=
NI
=DNG1±
I
HZO
tnerruCtuptuOecnadepmIhgiH0
≤
b,一个
≤
V
CC
1±
V
KI
egatloVedoiDpmalCV
CC
i,nim=
NI
Am81–=7.0–2.1–V
R
非
ecnatsiseRNOhctiwS
)3(
V
CC
v,.nim=
NI
i,v0.0=
非
Am46roAm84=
V
CC
v,.nim=
NI
i,v4.2=
非
Am51=
5
01
8
51
Ω
sretemaraP
)5(
noitpircseDsnoitidnoCtset.pyTstinU
C
NI
ecnaticapaCtupnI
V
NI
V0=
0.3
Fp
C
非
nohctiws,ecnaticapacb/一个 0.52
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