sep.1998
6.4.5 短的 电路 保护
如果 一个 加载 短的 电路 occurs 或者 这
系统 控制 malfunctions
造成 一个 shoot 通过, 这 ipms
建造 在 短的 电路 保护 将
阻止 这 igbts 从 正在 dam-
aged. 当 这 电流, 通过
这 igbt 超过 这 短的 电路
trip 水平的 (sc), 一个 立即的 con-
trolled 关闭 是 initiated 和 一个
故障 输出 是 发生. 这 一样
控制 关闭 技巧
使用 在 这 在 电流 保护
是 使用 至 帮助 控制 瞬时
电压 在 短的 电路 shut
向下. 这 短的 电路 保护
提供 用 这 ipm 使用 真实的
电流 度量 至 发现
有危险的 情况. 这个 类型 的
保护 是 faster 和 更多 reli-
能 比 常规的 输出-的-satu-
限定 保护 schemes. 图示
6.17 是 一个 定时 图解 表明
这 运作 的 这 短的 电路
保护.
至 减少 这 回馈 时间 是-
tween sc 发现 和 sc shut-
向下, 一个 real 时间 电流 控制
电路 (rtc) 有 被 adopted.
这 rtc bypasses 所有 但是 这 最终
平台 的 这 igbt 驱动器 在 sc 运算-
限定 因此 减少 这 re-
sponse 时间 至 较少 比 100ns.
这 oscillographs 在 图示 6.19 il-
lustrate 这 成效 的 这
rtc 技巧 用 comparing 短的
电路 运作 的 第二 genera-
tion ipm (没有 rtc) 和 第三
一代 ipm (和 rtc).
一个 重大的 改进 能 是
seen 作 这 电源 压力 是 更
更小的 作 这 时间 在 短的 电路
和 这 巨大 的 这 短的 cir-
cuit 电流 是 substantially re-
duced.
便条:
这 短的 电路 保护 在
v-序列 ipms 有 一个 延迟 类似的
至 这 第三 一代 在 电流
保护 函数 描述 在
6.4.4. 这 需要 为 一个 快 trip 有
被 eliminated 通过 这 使用 的
一个 新 先进的 rtc 电路.
提醒:
1. tripping 的 这 在 电流
和 短的 电路 保护 indi-
cates stressful 运作 的 这
igbt. repetitive tripping 必须
是 避免.
2. 高 surge 电压 能 出现
在 emergency 关闭.
低 电感 buswork 和
snubbers 是 推荐.
6.5 ipm 选择
那里 是 二 关键 areas 那 必须
是 coordinated 为 恰当的 选择
的 一个 ipm 为 一个 particular 反相器
应用. 这些 是 顶峰
电流 coordination 至 这 ipm
overcurrent trip 水平的 和 恰当的
热的 设计 至 确保 那
顶峰 接合面 温度 是 al-
方法 较少 比 这 最大 junc-
tion 温度 比率
(150
°
c) 和 那 这 baseplate
温度 仍然是 在下 这
在-温度 trip 水平的.
6.5.1 coordination 的 oc trip
顶峰 电流 是 addressed 用 谈及-
ence 至 这 电源 比率 的 这 mo-
tor. tables 6.2, 6.3 和 6.4 给
推荐 ipm 类型 获得
从 这 oc trip 水平的 和 这 顶峰
发动机 电流 必要条件 为基础
在 一些 assumptions 为 这 在-
verter 和 发动机 运作 关于-
ing 效率, 电源 因素, maxi-
mum 超载, 和 电流 波纹.
为 这 目的 的 这个 表格, 这
最大 发动机 电流 是 带去
从 这 nec 表格. 这个 already
包含 这 发动机 效率 和
电源 因素 适合的 至 这 par-
ticular 发动机 大小. 顶峰 反相器
电流 是 然后 计算 使用 这个
rms 电流, 一个 200% 超载 re-
quirement, 和 一个 20% 波纹 因素.
一个 ipm 是 然后 选择 这个 有
一个 最小 overcurrent trip 水平的
那 是 在之上 这个 计算 顶峰
运行 必要条件.
图示 6.19 波形
表明 这 效应
的 这 rtc 电路
短的 电路 运作 没有 rtc circuit
100a, 600v, ipm
短的 电路 运作 和 rtc circuit
100a, 600v, ipm
800A
V
CE
I
C
I
C
=200a/div,
V
CE
=100v/div, t=1µs/div
V
CE
T
I
C
T
410A
I
C
=200a/div,
V
CE
=100v/div, t=1µs/div
T
T
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