mitsubishi <intelligent 电源 modules>
PM50CSE060
flat-根基 类型
insulated 包装
sep. 2001
参数标识
供应 电压 保护 用
oc &放大; sc
供应 电压 (surge)
单元 情况 运行
温度
存储 温度
分开 电压
情况
V
cc(surge)
T
C
T
stg
V
iso
比率
V
cc(prot)
400
500
–
20 ~ +100
–
40 ~ +125
2500
单位
V
°
C
°
C
V
rms
V
V
D
= 13.5 ~ 16.5v, 反相器 部分,
T
j
= 125
°
c 开始
应用 在 : p-n, surge 值 或者 没有 切换
(便条-1)
60hz, sinusoidal, charged 部分 至 根基, 交流 1 最小值
(便条-1) tc 度量 要点 是 作 显示 在下. (根基 加设护板 depth 3mm)
2.3
2.3
3.3
2.4
0.3
1.0
3.3
1.2
1
10
最小值 典型值 最大值
集电级-发射级
饱和 电压
集电级-发射级
截止 电流
–
I
C
= 50a, v
D
= 15v, v
CIN
= 15v (图. 2)
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
电的 特性
(tj = 25
°
c, 除非 否则 指出)
反相器 部分
参数标识
测试 情况
V
ce(sat)
I
CES
V
EC
t
在
t
rr
t
c(在)
t
止
t
c(止)
限制
—
—
—
0.8
—
—
—
—
—
—
1.7
1.7
2.2
1.2
0.15
0.4
2.4
0.6
—
—
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
fwdi 向前 电压
切换 时间
V
D
= 15v, v
CIN
= 15v
↔
0V
V
CC
= 300v, i
C
= 50a
T
j
= 125
°
C
inductive 加载 (upper 和 更小的 arm) (图. 3)
V
CE
= v
CES
, v
CIN
= 15v
(图. 4)
V
D
= 15v, i
C
= 50a
V
CIN
= 0v, 搏动 (图. 1)
总的 系统
PBT
BPN
WVU
Tc64mm
V
毫安
V
µ
s
单位
1.00
2.50
0.82
1.51
0.027
°
c/w
R
th(j-c)q
R
th(j-c)f
R
th(j-c
’
)q
R
th(j-c
’
)f
R
th(c-f)
反相器 igbt 部分 (每 1 元素), (便条-1)
反相器 fwdi 部分 (每 1 元素), (便条-1)
反相器 igbt 部分 (每 1 元素), (便条-2)
反相器 fwdi 部分 (每 1 元素), (便条-2)
情况 至 fin, 热的 grease 应用 (每 1 单元)
标识
参数
测试 情况
单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
接合面 至 情况 热的
抵制
热的 抵制
联系 热的 阻抗
(便条-2) T
C
度量 要点 是 just 下面 这 碎片.
如果 你 使用 这个 值, r
th(f-一个)
应当 是 量过的 just 下面 这 碎片.
限制
最小值 典型值 最大值