绝对 最大 比率
(便条 1)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压 (v
CC
) −0.3v 至 +6V
V+ 管脚 (v
CC
−0.3v) 至 +15V
V− 管脚 +0.3v 至 −15V
驱动器 输入 电压 −0.3v 至 (v
CC
+0.3v)
驱动器 输出 电压 (v+ +0.3v) 至 (v−
−0.3v)
接受者 输入 电压
±
30V
接受者 输出 电压 −0.3v 至 (v
CC
+0.3v)
接合面 温度 +150˚C
最大 包装 电源 消耗
@
+25˚C (便条 6)
WM 包装 1400 mW
存储 温度 范围 −65˚C 至 +150˚C
含铅的 温度
(焊接, 4 秒) +260˚C
短的 电路 持续时间
(d
输出
) 持续的
静电释放 比率
(hbm, 1.5 k
Ω
, 100 pf)
≥
2.0 kV
推荐 运行
情况
最小值 最大值 单位
供应 电压, V
CC
4.5 5.5 V
运行 自由 空气 温度 (t
一个
)
DS14C238 0 +70 ˚C
电的 特性
(便条 2)
在 推荐 运行 情况, 除非 否则 指定.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
设备 特性
V+ 积极的 电源 供应 R
L
=3k
Ω
, C1–C4 = 1.0 µf, D
在
= 0.8v 9.0 V
V− 负的 电源 供应 R
L
=3k
Ω
, C1–C4 = 1.0 µf, D
在
= 2.0v −8.0 V
I
CC
供应 电流 (v
CC
) 非 加载 7.0 10 毫安
驱动器 特性
V
IH
高 水平的 输入 电压 2.0 V
CC
V
V
IL
低 水平的 输入 电压 地 0.8 V
I
IH
高 水平的 输入 电流 V
在
≥
2.0v −10 +10 µA
I
IL
低 水平的 输入 电流 V
在
≤
0.8v −10 +10 µA
V
OH
高 水平的 输出 电压 R
L
=3k
Ω
5.0 7.4 V
V
OL
低 水平的 输出 电压 −6.3 −5.0 V
I
OS
+ 输出 高 短的 V
O
= 0v, V
在
= 0.8v (便条 3) −30 −15 −5.0 毫安
电路 电流
I
OS
− 输出 低 短的 V
O
= 0v, V
在
= 2.0v 5.0 12 30 毫安
电路 电流
R
O
输出 阻抗 −2V
≤
V
O
≤
+2v, V
CC
= 地 = 0V 300
Ω
接受者 特性
V
TH
输入 高 门槛
电压
1.9 2.4 V
V
TL
输入 低 门槛
电压
0.8 1.5 V
V
HY
Hysteresis 0.2 0.4 1.0 V
R
在
输入 阻抗 3.0 4.5 7.0 k
Ω
I
在
输入 电流 V
在
= +15V 2.14 3.8 5.0 毫安
V
在
= +3V 0.43 0.6 +1.0 毫安
V
在
= −3V −1.0 −0.6 −0.43 毫安
V
在
= −15V −5.0 −3.8 −2.14 毫安
V
OH
高 水平的 输出 电压 V
在
= −3v, I
O
= −3.2 毫安 3.5 4.5 V
V
在
= −3v, I
O
= −20 µA 4.0 4.9 V
V
OL
低 水平的 输出 电压 V
在
= +3v, I
O
= +2.0 毫安 0.25 0.4 V
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