mitsubishi 半导体 <应用 明确的 intelligent 电源 单元>
PS11016
flat-根基 类型
insulated 类型
jan. 2000
PS11016
整体的 功能 和 特性
• 3-阶段 igbt inverter 桥 配置 用 这 最新的 3rd.
一代 igbt 和 二极管 科技.
• 电路 为 动态 用闸减速 的 发动机 regenerative 活力.
• 反相器 输出 电流 能力 i
O
(便条 1):
应用
acoustic 噪音-较少 2.2kw/ac200v 类 3 阶段 反相器 和 其它 发动机 控制 applica-
tions.
包装 轮廓
mitsubishi 半导体 <应用 明确的 intelligent 电源 单元>
PS11016
flat-根基 类型
insulated 类型
整体的 驱动, 保护 和 系统 控制 功能:
• 为 p-一侧 igbts : 驱动 电路, 高 电压 分开的 高-速 水平的 shifting, 短的-电路 保护 (sc),
自举 电路 供应 scheme (单独的 驱动-电源-供应) 和 下面 电压 保护 (uv).
• 为 n-一侧 igbts : 驱动 电路, 短的 电路 保护 (sc), 控制-供应 下面 电压 和 在 电压 保护 (ov/uv), sys-
tem 在-温度 保护 (ot), 故障 输出 (f
O
) signaling 电路, 和 电流-限制 警告 信号 输出
(cl)
• 为 brake 电路 igbt : 驱动 电路
• 警告 和 故障 signaling :
F
O1
: 短的 电路 保护 为 更小的-leg igbts 和 输入 interlocking 相反 spurious arm shoot-通过.
F
O2
: n-一侧 控制 供应 abnormality locking (ov/uv)
F
O3
: 系统 在-温度 保护 (ot).
cl : 警告 为 反相器 电流 超载 情况
• 为 系统 反馈 控制 : analogue 信号 反馈 reproducing 真实的 反相器 阶段 电流 (3
φ
).
• 输入 接口 : 5v cmos/ttl 兼容, 施密特 触发 输入, 和 arm-shoot-通过 interlock protection.
(便条 1) : 这 反相器 输出 电流 是 assumed 至 是 sinu-
soidal 和 这 顶峰 电流 值 的 各自 的 这
在之上 加载 具体情况 是 定义 作 : i
运算
= i
O
×
√
2
(图. 1)
类型 名字
PS11016
100% 加载
11.0a (rms)
150% 在 加载
16.5a (rms), 1min
4-
φ
4
13
8.5
(7.75)
2
±
0.3
92.5
±
1
83.5
±
0.5
6
±
0.3
56
±
0.8
71.5
±
0.5
80.5
±
1
0.6
0.5
78.75
1.2
31 32 34 35 36
4-r4
LABEL
33
0.5
2.5
231
76.5
±
1
20.4
±
1
50.8
±
0.8
27
±
1
10.16
±
0.3
5
(10.35)
1 cbu+
2 cbu–
3 cbv+
4 cbv–
5 cbw+
6 cbw–
7 地
8 nc
9 vdh
10 cl
11 fo1
12 fo2
13 fo3
14 cu
15 cv
16 cw
17 向上
18 vp
19 wp
20 un
21 vn
22 wn
23 br
31 p
32 br
33 n
34 u
35 v
36 w
terminals 分派:
2.45
±
0.3
: 点此下载
