mitsubishi 半导体 <应用 明确的 intelligent 电源 单元>
PS11016
flat-根基 类型
insulated 类型
jan. 2000
电路 电流
输入 在 门槛 电压
输入 止 门槛 电压
输入 拉-向上 resister
最小值
V
FBr
ton
tc(在)
toff
tc(止)
trr
TC
2.3
2.4
2.9
4.5
0.040
集电级-发射级 饱和 电压
fwdi 向前 电压
V
ce(sat)
V
EC
比率
°
c/w
°
c/w
°
c/w
°
c/w
°
c/w
—
—
—
—
—
接合面 至 情况 热的
阻抗
情况
标识
Item
比率 单位
(便条 2)
—
(图. 3)
60 hz sinusoidal 交流 应用 在 所有 terminals 和
这 根基 加设护板 为 1 分钟.
挂载 screw: m3.5
T
j
T
stg
T
C
V
iso
接合面 温度
存储 温度
单元 情况 运行 温度
分开 电压
挂载 torque
–20 ~ +125
–40 ~ +125
–20 ~ +100
2500
0.78 ~ 1.27
°
C
°
C
°
C
电压有效值
N·m
总的 系统
便条 2) 这 item 定义 这 最大 接合面 温度 为 这 电源 elements (igbt/二极管) 的 这 asipm 至 确保 safe 运作. 如何-
总是, 这些 电源 elements 能 endure instantaneous 接合面 温度 作 高 作 150
°
c instantaneously . 至 制造 使用 的 这个 ad-
ditional 温度 allowance, 一个 详细地 study 的 这 精确的 应用 情况 是 必需的 和, accordingly, necessary 信息
是 要求 至 是 提供 在之前 使用.
情况
标识 Item
比率
反相器 igbt (1/6)
反相器 fwdi (1/6)
brake igbt
brake fwdi
情况 至 fin, 热的 grease 应用
rth(j-c)
Q
rth(j-c)
F
rth(j-c)
Q
rth(j-c)
F
rth(c-f)
最小值
热的 阻抗
典型值 最大值
—
—
—
—
—
单位
(图. 3)
情况 温度 度量 要点 (3mm 从 这 根基 表面)
V
DH
= v
DB
= 15v, 输入 = 在, tj = 25
°
c, ic = 30a
情况
标识 Item
典型值 最大值
单位
• 非 destruction
• f
O
输出 用 保护 运作
电的 特性
(tj = 25
°
c, v
DH
= 15v, v
DB
= 15v 除非 否则 指出)
联系 thermal阻抗
tj = 25
°
c, ic = –30a, 输入 = 止
I
DH
V
th(在)
V
th(止)
R
i
• 非 destruction
• 非 protecting 运作
• 非 f
O
输出
V
ce(sat)br
brake igbt
集电级-发射级 饱和 电压
brake 二极管 向前 电压
V
DH
= 15v, 输入 = 在, tj = 25
°
c, ic = 15a
tj = 25
°
c, i
F
= 15a, 输入 = 止
切换 时间
1/2 桥 inductive, 输入 = 在
V
CC
= 300v, ic = 30a, tj = 125
°
C
V
DH
= 15v, v
DB
= 15v
便条 : ton, toff 包含 延迟 时间 的 这 内部的 控制
电路
fwd 反转 恢复 时间
短的 电路 忍耐力
(输出, arm, 和 加载,
短的 电路 模式)
V
CC
≤
400v, 输入 = 在 (一个-shot)
tj = 125
°
c 开始
13.5v
≤
V
DH
= v
DB
≤
16.5v
V
CC
≤
400v, tj
≤
125
°
c,
ic < i
OL
(cl) 运作 水平的, 输入 = 在,
13.5v
≤
V
DH
= v
DB
≤
16.5v
切换 soa
V
DH
= 15v, v
CIN
= 5v
—
—
—
—
—
—
0.8
2.5
整体的 在 输入 终端-v
DH
—
—
0.35
—
—
—
—
—
0.35
1.3
—
1.4
3.0
150
—
0.7
0.15
0.5
2.9
2.9
3.5
0.9
2.0
150
2.0
4.0
—
2.9
1.8
—
1.0
V
V
V
V
µ
s
µ
s
µ
s
µ
s
µ
s
毫安
V
V
k
Ω
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