初步的 数据 薄板 pn10493ej01v0ds
5
ps9851-1,-2
电的 特性 (t
一个
=
−
40 至 +100
°
c, v
DD
= 4.5 至 5.5 v, 除非 否则
指定)
参数 标识 情况 最小值 典型值
*1
最大值 单位
向前 电压 V
F
I
F
= 10 毫安, t
一个
= 25
°
c 1.6 1.9 v
反转 电流 I
R
V
R
= 3 v, t
一个
= 25
°
c 10
µ
一个
二极管
终端 电容 C
t
v = 0 v, f = 1 mhz, t
一个
= 25
°
C 30 pf
高 水平的 供应 电流 I
DDH
I
F
= 0 毫安 (1ch) 3 5
低 水平的 供应 电流 I
DDL
I
F
= 10 毫安 (1ch) 3 5
毫安
高 水平的 输出 电压
V
OH
I
O
=
−
20
µ
一个, i
F
= 0 毫安 4.0 5.0
探测器
低 水平的 输出 电压
V
OL
I
O
= 20
µ
一个, i
F
= 10 毫安 0.01 0.1
V
门槛 输入 电流
I
FHL
V
O
< 1 v 6 毫安
分开 阻抗 R
I
-
O
V
i-o
= 1 kv
直流
, rh = 40 至 60%,
T
一个
= 25
°
C
10
11
Ω
分开 电容 C
i-o
v = 0 v, f = 1 mhz, t
一个
= 25
°
C
0.9pF
传播 延迟 时间
(h
→
l)
*2
t
PHL
35 60
传播 延迟 时间
(l
→
h)
*2
t
PLH
30 60
脉冲波 宽度 PW 100
脉冲波 宽度 扭曲量
(pwd)
t
PHL
−
t
PLH
5 30
传播 延迟 skew t
PSK
40
上升 时间 t
r
3
下降 时间 t
f
I
F
= 10 毫安, v
DD
= 5 v,
cl = 15 pf, cmos 水平
3
ns
一般 模式
瞬时 免除 在
高 水平的 输出
*3
CM
H
V
DD
= 5 v, i
F
= 0 毫安,
V
CM
= 1 kv, v
O
> 4 v, t
一个
= 25
°
C
10 15
结合
一般 模式
瞬时 免除 在
低 水平的 输出
*3
CM
L
V
DD
= 5 v, i
F
= 10 毫安,
V
CM
= 1 kv, v
O
< 1 v, t
一个
= 25
°
C
10 15
kv/
µ
s
*1
典型 值 在 t
一个
= 25
°
C
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