飞利浦 半导体
psmn015-110p
trenchmos™ 标准 水平的 场效应晶体管
产品 数据 rev. 01 — 08 january 2004 6 的 12
9397 750 12544
© koninklijke 飞利浦 electronics n.v. 2004. 所有 权利 保留.
T
j
=25
°
CT
j
=25
°
C 和 175
°
c; v
DS
>
I
D
xR
DSon
图 5. 输出 特性: 流 电流 作 一个
函数 的 流-源 电压; 典型 值.
图 6. 转移 特性: 流 电流 作 一个
函数 的 门-源 电压; 典型 值.
T
j
=25
°
C
图 7. 流-源 在-状态 阻抗 作 一个 函数
的 流 电流; 典型 值.
图 8. normalized 流-源 在-状态 阻抗
因素 作 一个 函数 的 接合面 温度.
03am54
0
10
20
30
40
50
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
V
DS
(v)
I
D
(一个)
4.4 v
T
j
= 25
°
C
V
GS
= 4.2 v
10 v
4.6 v
4.8 v
5.2 v
5 v
5.4 v5.6 v6 v
03am56
0
20
40
60
80
0246
V
GS
(v)
I
D
(一个)
V
DS
> i
D
x r
DSon
T
j
= 25
°
C
175
°
C
03am55
0
10
20
30
0 1020304050
I
D
(一个)
R
DSon
(m
Ω
)
V
GS
= 5 v
T
j
= 25
°
C
5.4 v
10 v
6 v
5.6 v
5.2 v
03al21
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-60 0 60 120 180
T
j
(
°
c)
一个
一个
R
DSon
R
DSon 25 C
°
()
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=
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