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资料编号:558052
 
资料名称:PTF211802A
 
文件大小: 169.14K
   
说明
 
介绍:
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 180 W, 2110-2170 MHz
 
 


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数据 薄板 4 2004-02-13
PTF211802
broadband 电路 阻抗 数据
V
DD
= 28V, i
DQ
= 1900 毫安, p
输出
= 30 wAVGtwo–carrier wcdma
im3, drainEfficiency 和 增益
vs. 供应 电压
I
DQ
= 2.0一个, p
输出
(pep) = 170 w, f = 2140mhz,
声调间隔 = 5MHz
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
22 24 26 28 30 32 34
电压 (v)
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
im3 (dbc)
增益
DrainEfficiency
IM3
流 效率 (%), 增益 (db)
Bias 电压 vs. 情况 温度
电压 normalized 至 典型 门 电压.
0.96
0.97
0.98
0.99
1.00
1.01
1.02
1.03
-20 30 80 130
CaseTemperature (°c)
normalized 偏差 电压
3.00 一个
6.00 一个
9.00 一个
12.00 一个
15.00 一个
18.00 一个
频率 z 源
z 加载
MHz R jX R jX
2070 10.22 -14.00 4.28 1.24
2110 9.56 -13.48 4.06 1.94
2140 9.14 -13.00 3.98 2.42
2170 8.70 -12.60 3.84 2.90
2200 8.24 -12.22 3.76 3.34
典型 效能
(内容.)
0.1
0.3
0.2
0.4
2200 mhz
2070 mhz
2200 mhz
2070 mhz
z 加载
z 源
Z
0
= 50
z 源 z 加载
G
D
G
S
D
序列 显示 电流.
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