首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:558054
 
资料名称:PTF210301
 
文件大小: 337.85K
   
说明
 
介绍:
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110-2170 MHz
 
 


: 点此下载
  浏览型号PTF210301的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号PTF210301的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号PTF210301的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号PTF210301的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号PTF210301的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号PTF210301的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号PTF210301的Datasheet PDF文件第8页
8
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 2 2003-12-22
PTF210301
直流 特性
在 t
情况
= 25°c 除非 否则 表明
典型的 情况 标识 最小值 典型值 最大值 单位
drain–source 损坏电压 V
GS
= 0V, i
DS
= 10 µa V
(br)dss
65 V
流 泄漏 电流 V
DS
= 28V, v
GS
= 0V I
DSS
1.0 µA
on–state 阻抗 V
GS
= 10V, v
DS
= 0.1V R
ds(在)
0.26
运行 门电压 V
DS
= 28V, i
DQ
= 380 毫安 V
GS
2.5 3.2 4 V
门 泄漏 电流 V
GS
= 10V, v
DS
= 0V I
GSS
1.0 µA
最大 比率
参数 标识 单位
Drain–Source电压 V
DSS
65 V
Gate–Source电压 V
GS
–0.5 至 +12 V
接合面Temperature T
J
200 °C
Total 设备 消耗 PTF210301A P
D
116 W
在之上 25°c 减额 用 0.67 w/°c
Total 设备 消耗 PTF210301E P
D
145 W
在之上 25°c 减额 用 0.83 w/°c
存储Temperature 范围 T
STG
–40 至 +150 °C
热的 阻抗 PTF210301A R
θ
JC
1.5 °c/w
(t
情况
= 70°c, 30 w cw)
PTF210301E R
θ
JC
1.2 °c/w
broadband performance
V
DD
= 28 v, i
DQ
= 380 毫安, p
输出
= 39.5 dbm
10
15
20
25
30
35
2070 2090 2110 2130 2150 2170 2190 2210
Frequency(mhz)
增益 (db), 效率 (%)
-25
-20
-15
-10
-5
0
输入 返回 丧失 (db)
增益
Efficiency
返回 丧失
Power sweep, cw 情况
V
DD
= 28 v, i
DQ
= 380 毫安, f = 2170 mhz
13
14
15
16
17
18
0 10 20 30 40
输出 电源 (w)
增益 (db)
5
15
25
35
45
55
流 效率 (%)
增益
Efficiency
典型 效能
(数据 带去 在 一个 生产 测试 fixture)
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com