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资料编号:558819
 
资料名称:PUMX1
 
文件大小: 43.65K
   
说明
 
介绍:
NPN general purpose double transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1999 Apr 14 2
飞利浦 半导体 初步的 规格
npn 一般 目的 翻倍 晶体管 PUMX1
特性
低 电流 (最大值. 100 毫安)
低 电压 (最大值. 40 v)
减少 号码 的 组件 和 boardspace.
产品
一般 目的 切换 和 放大器.
描述
二 independently 运行 npn 晶体管 在 一个 sc-88
塑料 包装. pnp complement: pumt1.
标记
类型 号码 标记 代号
PUMX1 ZtZ
固定
管脚 描述
1, 4 发射级 tr1; tr2
2, 5 根基 tr1; tr2
3, 6 集电级 tr2; tr1
图.1 simplified 外形 (sc-88) 和 标识.
handbook, halfpage
132
4
56
顶 视图
MAM340
132
TR1
TR2
6
4
5
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 134).
便条
1. 设备 挂载 在 一个 fr4 打印-电路 板.
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
每 晶体管
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
50 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 打开 根基
40 V
V
EBO
发射级-根基 电压 打开 集电级
5V
I
C
集电级 电流 (直流)
100 毫安
I
CM
顶峰 集电级 电流
200 毫安
I
BM
顶峰 根基 电流
200 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 T
amb
25
°
C
200 mW
T
stg
存储 温度
65 +150
°
C
T
j
接合面 温度
150
°
C
T
amb
运行 包围的 温度
65 +150
°
C
每 设备
P
tot
总的 电源 消耗 T
amb
25
°
c; 便条 1
300 mW
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