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资料编号:558846
 
资料名称:PUMB4
 
文件大小: 47.66K
   
说明
 
介绍:
PNP resistor-equipped double transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1999 Apr 12 3
飞利浦 半导体 产品 规格
pnp 电阻-配备 翻倍 晶体管 PUMB4
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 134).
便条
1. 晶体管 挂载 在 一个 fr4 打印-电路 板.
热的 特性
便条
1. 晶体管 挂载 在 一个 fr4 打印-电路 板.
特性
T
amb
=25
°
c 除非 否则 specified.
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
每 晶体管
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
−−
50 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 打开 根基
−−
50 V
V
EBO
发射级-根基 电压 打开 集电级
−−
5V
I
O
输出 电流 (直流)
−−
100 毫安
I
CM
顶峰 集电级 电流
−−
100 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 T
amb
25
°
c; 便条 1
200 mW
T
stg
存储 温度
65 +150
°
C
T
j
接合面 温度
150
°
C
T
amb
运行 包围的 温度
65 +150
°
C
每 设备
P
tot
总的 电源 消耗 T
amb
25
°
c; 便条 1
300 mW
标识 参数 情况 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 便条 1 416 k/w
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
每 晶体管
I
CBO
集电级 截-止 电流 I
E
= 0; v
CB
=
50 V
−−−
100 nA
I
CEO
集电级 截-止 电流 I
B
= 0; v
CE
=
30 V
−−−
1
µ
一个
I
B
= 0; v
CE
=
30 v; t
j
= 150
°
C
−−−
50
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 I
C
= 0; v
EB
=
5V
−−−
100 nA
h
FE
直流 电流 增益 I
C
=
1 毫安; v
CE
=
5 V 200
−−
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
=
10 毫安; i
B
=
0.5 毫安
−−−
150 mV
R1 输入 电阻 7 10 13 k
C
c
集电级 电容 I
E
=i
e
= 0; v
CB
=
10 v; f = 1 MHz
−−
3pF
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