1999 Apr 14 3
飞利浦 半导体 产品 规格
pnp 切换 晶体管 PXT2907A
热的 特性
便条
1. 设备 挂载 在 一个 打印-电路 板, 单独的-sided 铜, tinplated, 挂载 垫子 为 集电级 6 cm
2
.
为 其它 挂载 情况, 看
“thermal 仔细考虑 为 sot89 在 这 一般 部分 的 有关联的 handbook”.
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
标识 参数 情况 值 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 便条 1 97 k/w
R
th j-s
热的 阻抗 从 接合面 至 焊接 要点 17 k/w
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流 I
E
= 0; v
CB
=
−
50 V
−−
10 nA
I
E
= 0; v
CB
=
−
50 v; t
amb
= 125
°
C
−−
10
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 I
C
= 0; v
EB
=
−
5V
−−
50 nA
h
FE
直流 电流 增益 I
C
=
−
0.1 毫安; v
CE
=
−
1V 75
−
I
C
=
−
1 毫安; v
CE
=
−
1 V 100
−
I
C
=
−
10 毫安; v
CE
=
−
1 V 100
−
I
C
=
−
150 毫安; v
CE
=
−
2 V 100 300
I
C
=
−
500 毫安; v
CE
=
−
2V 50
−
V
CEsat
集电级-发射级 饱和
电压
I
C
=
−
150 毫安; i
B
=
−
15 毫安
−−
400 mV
I
C
=
−
500 毫安; i
B
=
−
50 毫安
−−
1.6 V
V
BEsat
根基-发射级 饱和 电压 I
C
=
−
150 毫安; i
B
=
−
15 毫安
−−
1.3 V
I
C
=
−
500 毫安; i
B
=
−
50 毫安
−−
2.6 V
C
c
集电级 电容 I
E
=i
e
= 0; v
CB
=
−
10 v; f = 1 MHz
−
8pF
C
e
发射级 电容 I
C
=i
c
= 0; v
EB
=
−
500 mv; f = 1 MHz
−
35 pF
f
T
转变 频率 I
C
=
−
20 毫安; v
CE
=
−
10 v;
f = 100 MHz
200
−
MHz
切换 时间 (在 10% 和 90% 水平);
(看 图.2)
t
在
转变-在 时间 I
Con
=
−
150 毫安; i
Bon
=
−
15 毫安;
I
Boff
=15mA
−
40 ns
t
d
延迟 时间
−
12 ns
t
r
上升 时间
−
30 ns
t
止
转变-止 时间
−
365 ns
t
s
存储 时间
−
300 ns
t
f
下降 时间
−
65 ns
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