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资料编号:560555
 
资料名称:IDT71V256SA15PZI
 
文件大小: 67.97K
   
说明
 
介绍:
LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
5
IDT71V256SA
3.3v cmos 静态的 内存 256k (32k x 8-位) 工业的 和 商业的 温度 范围
定时 波形 的 读 循环 非. 2
(1, 2, 4)
定时 波形 的 读 循环 非. 3
(1, 3, 4)
注释:
1.
我们
是 高 为 读 循环.
2. 设备 是 continuously 选择,
CS
是 低.
3. 地址 有效的 较早的 至 或者 coincident 和
CS
转变 低.
4.
OE
是 低.
5. 转变 是 量过的
±
200mv 从 稳步的 状态.
注释:
1.
我们
或者
CS
必须 是 高 在 所有 地址 transitions.
2. 一个 写 occurs 在 这 overlap 的 一个 低
CS
和 一个 低
我们
.
3. t
WR
是 量过的 从 这 早期 的
CS
或者
我们
going 高 至 这 终止 的 这 写 循环.
4. 在 这个 时期, i/o 管脚 是 在 这 输出 状态 所以 那 这 输入 信号 必须 不 是 应用.
5. 如果 这
CS
低 转变 occurs 同时发生地 和 或者 之后 这
我们
低 转变, 这 输出 仍然是 在 一个 高-阻抗 状态.
6. 转变 是 量过的
±
200mv 从 稳步的 状态.
7. 如果
OE
是 低 在 一个
我们
控制 写 循环, 这 写 脉冲波 宽度 必须 是 这 大 的 t
WP
或者 (t
WHZ
+ t
DW
) 至 准许 这 i/o 驱动器 至 转变 止 和 数据
至 是 放置 在 这 总线 为 这 必需的 t
DW
. 如果
OE
是 高 在 一个
我们
控制 写 循环, 这个 必要条件 做 不 应用 和 这 写 脉冲波 能
是 作 短的 作 这 spectified t
wp.
定时 波形 的 写 循环 非. 1 (
我们
我们
控制 定时)
(1, 2, 3, 5, 7)
地址
数据
输出
3101 drw 07
t
RC
t
AA
t
OH
t
OH
数据 validprevious 数据 有效的
数据
输出
CS
3101 drw 08
t
ACS
(5)
t
CLZ
(5)
CHZ
t
数据 有效的
CS
数据
地址
我们
数据
输出
OE
3101 drw 09
t
AW
t
WR
t
DW
t
WC
t
WP
t
DH
t
WHZ
t
OW
(4)
(7)
t
(6)
(4)
t
OHZ
(6)
数据 有效的
(6)
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