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资料编号:560767
 
资料名称:PZTA06
 
文件大小: 50.38K
   
说明
 
介绍:
NPN general purpose transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
mpsa06 / mmbta06 / pzta06
电的 特性
ta = 25°c 除非 否则 指出
止 特性
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
V
(br)ceo
Collector-EmitterS美国taingVoltage* I
C
= 1.0 毫安,I
B
=0 80 V
V
(br) EBO
Emitter-be breakdown voltage I
E
=100
µ
一个, i
C
=0 4.0 V
I
CEO
Collector-CutoffCurrent V
CE
=60 v, i
B
=0 0.1
µ
一个
I
CBO
Collector-CutoffCurrent V
CB
=80 v, i
E
=0 0.1
µ
一个
在 特性
h
FE
直流 电流 增益 I
C
=10 毫安,V
CE
= 1.0V
I
C
=100 毫安, v
CE
= 1.0V
100
100
V
ce(
sat
)
集电级-EmitterSaturati在 电压 I
C
=100 毫安, i
B
=10 毫安 0.25 V
V
是(
)
根基-发射级 在 电压 I
C
=100 毫安, v
CE
= 1.0V 1.2 V
小 信号 特性
*
脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
µ
s, 职责 循环
2.0%
额外的刺激 模型
npn (是=8.324f xti=3 eg=1.11 vaf=100 bf=12.16k ne=1.368 ise=73.27f ikf=.1096 xtb=1.5 br=11.1 nc=2 isc=0
ikr=0 rc=.25 cjc=18.36p mjc=.3843 vjc=.75 fc=.5 cje=55.61p mje=.3834 vje=.75 tr=72.15n tf=516.1p itf=.5
vtf=4 xtf=6 rb=10)
典型 特性
f
T
Current gain -带宽 产品 I
C
=10 毫安,V
CE
= 2.0v,
f= 100 mhz
100 MHz
Collector-发射级 饱和
电压 vs collect或者 电流
P33
0.1 1 10 100 1000
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
i -Collector 电流 (毫安)
v - 集电级 发射级 电压 (v)
C
CESAT
ββ
= 10
- 40 ºc
25 °c
125 °c
npn 一般 目的 放大器
(持续)
典型 搏动电流 增益
vs 集电级 电流
P33
0.001 0.01 0.1
50
100
150
200
i - 集电级 电流 (一个)
h - 典型 搏动 电流 增益
FE
- 40 ºc
25 °c
C
v = 1v
CE
125 °c
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