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资料编号:560767
 
资料名称:PZTA06
 
文件大小: 50.38K
   
说明
 
介绍:
NPN general purpose transistor
 
 


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mpsa06 / mmbta06 / pzta06
npn 一般 目的 放大器
(持续)
典型 特性
(持续)
集电级-截止 电流
vs. ambient 温度er一个ture
P33
25 50 75 100 125
0.001
0.01
0.1
1
10
t - 包围的 温度 ( c)
i - 集电级 current (na)
一个
CBO
º
v = 80 v
CB
根基-emitter 饱和
Voltage vs collector current
0.1 1 10 100 1000
0.4
0.6
0.8
1
i -集电级 current (毫安)
v - 根基 发射级 voltage (v)
C
BESAT
ββ
= 10
- 40 ºc
25 °c
125 °c
根基 发射级 在 电压 vs
集电级 电流
P33
1 10 100 1000
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
i -Collector currENt (毫安)
v - 根基 发射级 在 电压 (v)
C
BEON
v = 5v
CE
- 40ºC
25 °c
125 °c
集电级 饱和 区域
4000 10000 20000 30000 50000
0
0.5
1
1.5
2
i - 根基 cuRRENt (ua)
v - 集电级-发射级 电压 (v)
B
10 毫安
100 毫安
1 毫安
t = 25°c
i =
CE
C
一个
ΩΩ
CER
集电级-发射级 损坏
电压 和 阻抗
在 发射级-根基
0.1 1 10 100 1000
111
112
113
114
115
116
117
RESISTANCe (k )
Bv - 损坏电压 (v)
Input 和 output 电容
vs 反转 voltage
0.1 1 10 100
0.1
1
10
100
v - 集电级 电压(v)
电容 (pf)
C
f = 1.0 mhz
CE
C
ob
ib
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