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PZT3904
2 十一月-30-2001
电的 特性
在
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定.
参数 标识 值 单位
最小值 典型值 最大值
直流 特性
集电级-发射级 损坏 电压
I
C
= 1 毫安,
I
B
= 0
V
(br)ceo
40 - - V
集电级-根基 损坏 电压
I
C
= 10 µa,
I
E
= 0
V
(br)cbo
60 - -
发射级-根基 损坏 电压
I
E
= 10 µa,
I
C
= 0
V
(br)ebo
6 - -
集电级 截止 电流
V
CB
= 30 v,
I
E
= 0
I
CBO
- - 50 nA
集电级-发射级 截止 电流
V
CE
= 30 v, -
V
是
= 0.5 v
I
CEV
- - 50
根基-发射级 截止 电流
V
CE
= 30 v, -
V
是
= 0.5
I
BEV
- - 50
直流 电流 增益  1)
I
C
= 0.1 毫安,
V
CE
= 1 v
I
C
= 1 毫安,
V
CE
= 1 v
I
C
= 10 毫安,
V
CE
= 1 v
I
C
= 50 毫安,
V
CE
= 1 v
I
C
= 100 毫安,
V
CE
= 1 v
h
FE
40
70
100
60
30
-
-
-
-
-
-
-
300
-
-
-
集电级-发射级 饱和 voltage1)
I
C
= 10 毫安,
I
B
= 1 毫安
I
C
= 50 毫安,
I
B
= 5 毫安
V
CEsat
-
-
-
-
0.2
0.3
V
根基-发射级 饱和 电压  1)
I
C
= 100 毫安,
I
B
= 1 毫安
I
C
= 50 毫安,
I
B
= 5 毫安
V
BEsat
-
-
-
-
0.85
0.9
1)  脉冲波 测试: t
≤
=
300
µ
s, d = 2%

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PZT3904 2 十一月-30-2001 电的特性在 T 一个 = 25°c, 除非否则指定. 参数标识值单位最小值典型值最大值直流特性集电级-发射级损坏电压 I C = 1 毫安, I B = 0 V (br)ceo 40 - - V 集电级-根基损坏电压 I C = 10 µa, I E = 0 V (br)cbo 60 - - 发射级-根基损坏电压 I E = 10 µa, I C = 0 V (br)ebo 6 - - 集电级截止电流 V CB = 30 v, I E = 0 I CBO - - 50 nA 集电级-发射级截止电流 V CE = 30 v, - V 是 = 0.5 v I CEV - - 50 根基-发射级截止电流 V CE = 30 v, - V 是 = 0.5 I BEV - - 50 直流电流增益 1) I C = 0.1 毫安, V CE = 1 v I C = 1 毫安, V CE = 1 v I C = 10 毫安, V CE = 1 v I C = 50 毫安, V CE = 1 v I C = 100 毫安, V CE = 1 v h FE 40 70 100 60 30 - - - - - - - 300 - - - 集电级-发射级饱和 voltage1) I C = 10 毫安, I B = 1 毫安 I C = 50 毫安, I B = 5 毫安 V CEsat - - - - 0.2 0.3 V 根基-发射级饱和电压 1) I C = 100 毫安, I B = 1 毫安 I C = 50 毫安, I B = 5 毫安 V BEsat - - - - 0.85 0.9 1) 脉冲波测试: t ≤ = 300 µ s, d = 2%

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