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资料编号:560797
 
资料名称:PZT751T1
 
文件大小: 119.39K
   
说明
 
介绍:
SOT-223 PACKAGE HIGH CURRENT PNP SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT
 
 


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motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
PNP Planar
外延的 晶体管
这个pnp 硅 外延的晶体管 是 设计 为 使用 在 工业的 和 消费者
产品.这 设备 是 housed 在 这 sot–223 包装 这个 是 设计 为
中等 电源 表面 挂载 产品.
高 电流: 2.0 放大
这 sot–223 包装 能 是 焊接 使用 波 或者 软熔焊接.
sot–223 包装 确保 水平的 挂载, 结果 在 改进 热的
传导, 和 准许 visual inspection 的 焊接 joints. 这 formed
leads absorb 热的 压力 在 焊接, eliminating 这 possibility 的
损坏 至 这 消逝
有 在 12 mm 录音带 和 卷轴
使用 pzt751t1 至 顺序 这 7 inch/1000 单位 卷轴.
使用 pzt751t3 至 顺序 这 13 inch/4000 单位 卷轴.
npn complement 是 pzt651t1
最大 比率
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率
标识 单位
collector–emitter 电压 V
CEO
60 Vdc
collector–base 电压 V
CBO
80 Vdc
emitter–base 电压 V
EBO
5.0 Vdc
集电级 电流 I
C
2.0 模数转换器
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
(1)
减额 在之上 25
°
C
P
D
0.8
6.4
Watts
mw/
°
C
存储 温度 范围 T
stg
65 至 150
°
C
接合面 温度 T
J
150
°
C
设备 标记
ZT751
热的 特性
热的阻抗 从 junction–to–ambient 在 自由 空气 R
θ
JA
156
°
c/w
最大 temperature 为 焊接 目的
时间 在 焊盘 bath
T
L
260
10
°
C
1. 设备 挂载 在 一个 fr–4 glass 环氧的 打印 电路 板 使用 最小 推荐 footprint.
热的 clad 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司
Preferred
设备 是 motorola 推荐 choices 为 future 使用 和 最好的 整体的 值.
顺序 这个 文档
用 pzt751t1/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
motorola, 公司 1996
PZT751T1
sot–223 包装
高 电流
pnp 硅
晶体管
表面 挂载
motorola preferred 设备
情况 318e-04, 样式 1
至-261aa
1
2
3
4
集电级 2, 4
根基
1
发射级 3
rev 1
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