slus509a −12月 2001 − 修订 十一月 2004
11
www.德州仪器.com
应用 信息
记忆
id 只读存储器
这 bq26200 有 8 字节 的 id 只读存储器. 这个 数据 地方是 工厂 编写程序 和 一个 唯一的 串行 号码. 请
联系 your 德州 器械 代表 为 详细信息.
flash-shadowed 内存
这 host 系统 有 直接 进入 至 读 和 modify 32 字节 的 内存. 这些 32 字节 是 shadowed 用 32
字节 的flash 至提供 非-易变的 存储 的 电池 情况. 这 信息 贮存 在 内存 是 transferred
至 flash, 和 这 信息 贮存 在 flash 是 transferred 至 内存 用 writing 一个 单独的 command 在 这 flash
command 寄存器 (fcmd). 当 一个 电源-在-重置 occurs, page0 的 flash 是 transferred 至 内存. 为 更多
详细信息, 谈及 至 这
flash command 寄存器
部分.
用户-flash 记忆
在 增加 至 这 flash-shadowed 内存, 这 bq26200 有 64 字节 的 用户-flash. 这 用户-flash 能 store
明确的 电池 包装 参数, 此类 作 承担 每 vfc 脉冲波, 电池 chemistry, 和 自-释放 rates.
flash 程序编制
这 二 banks 的 直接 用户-flash 是 编写程序 一个 字节 在 一个 时间, 但是 这 单独的 bank 的 flash-shadowed
内存 能 是 编写程序 一个 页 在 一个 时间 或者 用 writing 这 内存-至-flash 转移 代号 在 这 flash
command寄存器 (fcmd). 这个 程序编制 是 执行 用 writing 这 desired 代号 在 这 flash command
寄存器,fcmd (地址 0x62), 这 host 将 转移 数据 在 flash 和 内存, 页 擦掉 这 flash, 放置
这 设备 在 这 低 电源 模式, 或者 执行 vfc 补偿 度量. 为 更多 详细信息, 谈及 至 这
flash
command 寄存器
部分. summaries 的 这 flash command 代号 是 显示 在 表格 5.
表格 5. flash command 代号 summary
command 代号
(十六进制)
描述
0x0F 程序 字节
0x40 擦掉 页 0 flash
0x41 擦掉 页 1 flash
0x42 擦掉 页 2 flash
0x45 转移 页 0 内存 至 页 0 flash
0x48 转移 页 0 flash 至 页 0 内存
0xF6 电源 向下
单独的-字节 程序编制
至 程序 一个 单独的 字节 在 flash, 这 字节 的 数据 是 第一 写 在 这 fpd 寄存器 当 这 地址
至 是 编写程序 是 写 在 这 fpa 寄存器. 这 程序 字节 command, 0x0f, 是 然后 写 至 这
fcmd.这 结果 的 这个 sequence 是 那 这 内容 的 这 fpd 寄存器 是 logically 和’d 和 这 内容
的 这 flash 地址 pointed 至 用 这 fpa 寄存器.
内存-至-flash 转移
这 内容 的 这 flash 那 shadows 这 用户内存 是 logically 和’d 至 这 内存 内容 当 这
内存-至-flash 转移 command 是 sent. 如果 新 数据 是 至 是 写 在 old 数据, 然后 它 是 需要 至 第一
擦掉 这 flash 页 那 是 正在 updated 和 restore 所有 需要 数据.