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资料编号:561792
 
资料名称:BQ29311PWR
 
文件大小: 242.59K
   
说明
 
介绍:
THREE AND FOUR CELL LITHIUM ION OR LITHIUM POLYMER BATTERY PROTECTION IC
 
 


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slus487d −12月 2001 − 修订 十一月 2003
www.德州仪器.com
10
函数的 描述
整体的 调整器
这 输入 为 这个 调整器 是 获得 从 这 电池 cell
堆栈 或者 这 包装 积极的 终端, 和 一个 有效的 范围 的
V
SD
至 25 v. 这些 二 源 输入 是 ored 内部.
一个 外部 二极管 是 必需的 至 保护 uncontrolled
charging.这 输出 是 典型地 3.3 v
±
5% (t
一个
= −25
c 至
85
c) 和 一个 最大 输出 电流 的 25 毫安. 这 输出
电容 为 稳固的 运作 是 典型地 1
µ
f. 这
输出 电压 线条 规章制度 是
±
20 mv (最大值) 在
V
SD
和 25 v. 这 加载 规章制度 是
±
20 mv (最大值) 在
这 电流 范围 的 0. 1 毫安 至 25 毫安.
这 调整器 输出 开始 向上 仅有的 当 vpack reaches
这 有效的 输入 电压. 之后 这个 电压 是 reached, 这
bios 的 这 调整器 是 有提供的 通过 vbat 从 这
电池, 甚至 如果 vpack 电压 是 移除.
关闭 和 brownout
如果 这 电压 在 vbat falls 在下 7.975 v
±
5%(default), 这
bq29311 sets 这 brwo 位 至 1 在 状态 (b4) 和
triggers这 xalert 输出. 这 值 在 这 sdv 寄存器
(b4−b7) 确定 这 门槛 值 和 这个 能 是
编写程序从 7.975 v 至 12.475 v 在 0.3-v 步伐 (和
一个 精度 的
±
5% 在 这 下落 边缘) 和 有 50 mv
±
30% 的 hysteresis.
读 这 状态 寄存器 clears xalert 在 一个
brownout, 但是 ocl (控制,b0) 必须 是 带去 从
0 至 1 至 0; 然后 status 必须 是 读, 至 clear 这 brwo
位.
如果 这 电压 在 vbat 是 在下 6.475v
±
5% (default) 这
调整器 能 是shut 向下. 这 值 在 这 sdv 寄存器
(b0−3) 确定 这 门槛 值, 这个 能 是
编写程序从 6.475 v 至 10.975 v 在 0.3-v 步伐 和
一个 精度 的
±
5% 在 这 下落 边缘 和 有 50 mv
±
30% 的 hysteresis.
当 这 输入 电压 是 在下 这 关闭 门槛
和 一个 高等级的 电压 在 vpack 是 不 呈现, 然后 shdn
(状态, b5) 是 设置 和 这 bq29311 enters 这 睡眠
模式 和 转变 止 chg, dsg, 和 pchg. 这 电流
消耗量 在这个 模式 是 下面 1
µ
一个. shdn 是 cleared
当 这 输入 电压 rises 在之上 这 关闭
门槛. xalert 做不 respond 至 关闭.
overcurrent, 超载,和
短的-电路 发现
这 overcurrent, 超载, 和 短的-电路 发现 是
使用 至 发现 abnormal 电流 在 也 这 承担 或者
释放 方向.这个 安全 特性 是 使用 至 保护
这 通过 fets, cells, 和 任何 其它 inline 组件
从 过度的 电流 情况. 这 发现 电路
也 包含 一个 blanking 延迟 在之前 驱动 这
控制 为 这通过 fets 至 转变 止.
这 overcurrent, 超载, 和 短的-电路 门槛 是
设置 在 这 ocvd/c 和 scv 寄存器 和 defaults 的
50 mv 和 100 mv 各自. 这 单独的
overcurrent(承担) , 和 超载 (释放) 门槛
能 是 编写程序 从 50 mv至 205 mv 在 5-mv 步伐
和 一个 hysteresis 的 10 mV
±
30%. 这 单独的 短的-电路
门槛 能 是 编写程序 从 100 mv 至 475 mv 在
25-mv 步伐 和 一个 hysteresis 的 50 mv
±
20%.
overcurrent, 超载 和
短的-电路 延迟
这 overcurrent 和 超载 延迟 准许 这 系统 至
短促地 接受 一个 高 电流 情况. 这 default
overcurrent延迟 是 1 ms. 这 延迟 时间 能 是 增加
通过 这 ocd 寄存器, 在哪里 这 overcurrent 和 超载
延迟 能 是 independently 定义. 这 ocd 寄存器
能 是 编写程序 为 一个 范围 的 1 ms 至 31 ms 和 步伐
的 2 ms.
这 短的-电路 延迟 有 一个 default 值 的 0 ms 和 是
也 可编程序的 在这 scd 寄存器. 这个 寄存器 能
是 编写程序 从 0 至 915
µ
s 和 步伐 的 61
µ
s.
overcurrent, 超载 和
短的-电路 回馈
当 一个 overcurrent, 超载, 或者 短的-电路 情况
是 发现, 这 chg 和 dsg fets 是 转变 止 和 这
pchg 场效应晶体管 转变 在, 限制的 这 承担 电流 至 这
前-承担比率. 这 status (b0...b3)寄存器 reports 这
详细信息 的 释放 短的 电路, 承担 短的 电路,
超载 (释放 overcurrent) 和 overcurrent. 这
各自的 状态 (b0...b3) 位 是 设置 至 1 和 这
xalert 输出 改变 状态. 这个 情况 是 latched
直到 这 控制 (b0) 是 设置和 然后 重置. 如果 一个 场效应晶体管 是
转变 在 用 resetting 控制 (b0) 和 这 错误
情况 是 安静的 在 这 系统, 然后 这 设备 又一次
enters 这保护 回馈 状态.
cell 电压
这 cell 电压 是 translated 至 准许 一个 系统 host 至
measure 单独的 序列 elements的 这 电池.
这 序列 元素 电压 是 translated 至 一个 地-为基础
电压 equal 至 0.15 的 这 序列 元素 电压. 这个
提供 一个范围 从 0 v 至 4.5v. 这 转变 输出
是 inversely 均衡的 至 这 输入.
V
(cell_输出)
= −K
×
V
(cell_在)
+ 0.975 (v)
程序编制 cell_sel (b0...b1) 选择 这 单独的
序列 元素. 这 cell_sel (b2 . . . b3) 选择 这
度量 模式 为 这 序列 elements. 这个 准许
这 补偿 至 是 决定 为 各自 元素 在 这 string.
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