MC33460SQ-30ATR_集成电路资料查询网

mc33460, mc33461
http://onsemi.com
6
电的 特性
(为 所有 值 t
一个
= 25
°
c, 除非 否则 指出.)
典型的
标识 最小值 Typ 最大值 单位
mc33460/461 – 4.3
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
探测器 门槛 (v
在
下落)
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
V
DET–
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
4.214
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
4.300
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
4.386
ÁÁÁ
ÁÁÁ
V
探测器 门槛 hysteresis V
HYS
0.129 0.215 0.301 V
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
供应 电流 (v
在
= 4.14 v)
(v
在
= 6.3 v)
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
I
在
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–
–
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.1
1.3
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
3.3
3.9
ÁÁÁ
ÁÁÁ
µ
一个
最大 运行 电压 V
在(最大值)
– – 10 V
最小 运行 电压
(–40
°
C
≤
T
一个
≤
85
°
c)
V
在(最小值)
–
–
0.55
0.65
0.70
0.80
V
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
输出 电流 (输出)
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
I
输出
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁ
Nch (v
输出
= 0.05v, v
在
= 0.70v) 0.01 0.05 – 毫安
(v
输出
= 0.50v, v
在
= 1.5v) 1.0 2.0 – 毫安
cmos 输出 高 (v
输出
= 2.4v, v
在
= 4.5v) 1.0 2.0 – 毫安
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
输出 延迟 时间 (便条 1)
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
t
pd
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
100
ÁÁÁ
ÁÁÁ
µ
s
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
探测器 门槛 温度 系数 (–40
°
C
≤
T
一个
≤
85
°
c)
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
D
V
DET–
/
D
T
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
±
100
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–
ÁÁÁ
ÁÁÁ
ppm/
°
C
注释:
1.谈及 至 图示 1 为 测试 情况 为 度量.
电的 特性
(为 所有 值 t
一个
= 25
°
c, 除非 否则 指出.)
典型的
标识 最小值 Typ 最大值 单位
mc33460/461 – 4.5
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
探测器 门槛 (v
在
下落)
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
V
DET–
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
4.410
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
4.500
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
4.590
ÁÁÁ
ÁÁÁ
V
探测器 门槛 hysteresis V
HYS
0.135 0.225 0.315 V
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
供应 电流 (v
在
= 4.34 v)
(v
在
= 6.5 v)
ÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
I
在
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–
–
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.1
1.3
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
3.3
3.3
ÁÁÁ
Á
ÁÁ
ÁÁÁ
µ
一个
最大 运行 电压 V
在(最大值)
– – 10 V
最小 运行 电压
(–40
°
C
≤
T
一个
≤
85
°
c)
V
在(最小值)
–
–
0.55
0.65
0.70
0.80
V
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
输出 电流 (输出)
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
I
输出
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁ
Nch (v
输出
= 0.05v, v
在
= 0.70v) 0.01 0.05 – 毫安
(v
输出
= 0.50v, v
在
= 1.5v) 1.0 2.0 – 毫安
cmos 输出 高 (v
输出
= 6.9v, v
在
= 8.0v) 1.5 3.0 – 毫安
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
输出 延迟 时间 (便条 1)
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
t
pd
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
100
ÁÁÁ
ÁÁÁ
µ
s
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
探测器 门槛 温度 系数 (–40
°
C
≤
T
一个
≤
85
°
c)
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
D
V
DET–
/
D
T
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
±
100
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–
ÁÁÁ
ÁÁÁ
ppm/
°
C
注释:
1.谈及 至 图示 1 为 测试 情况 为 度量.

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

mc33460, mc33461 http://onsemi.com 6 电的特性 (为所有值 t 一个 = 25 ° c, 除非否则指出.) 典型的标识最小值 Typ 最大值单位 mc33460/461 – 4.3 ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ 探测器门槛 (v 在下落) ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ V DET– ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ 4.214 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ 4.300 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ 4.386 ÁÁÁ ÁÁÁ V 探测器门槛 hysteresis V HYS 0.129 0.215 0.301 V ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ 供应电流 (v 在 = 4.14 v) (v 在 = 6.3 v) ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ I 在 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ – – ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ 1.1 1.3 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ 3.3 3.9 ÁÁÁ ÁÁÁ µ 一个最大运行电压 V 在(最大值) – – 10 V 最小运行电压 (–40 ° C ≤ T 一个 ≤ 85 ° c) V 在(最小值) – – 0.55 0.65 0.70 0.80 V ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ 输出电流 (输出) ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ I 输出 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁ Nch (v 输出 = 0.05v, v 在 = 0.70v) 0.01 0.05 – 毫安 (v 输出 = 0.50v, v 在 = 1.5v) 1.0 2.0 – 毫安 cmos 输出高 (v 输出 = 2.4v, v 在 = 4.5v) 1.0 2.0 – 毫安 ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ 输出延迟时间 (便条 1) ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ t pd ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ – ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ – ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ 100 ÁÁÁ ÁÁÁ µ s ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ 探测器门槛温度系数 (–40 ° C ≤ T 一个 ≤ 85 ° c) ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ D V DET– / D T ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ – ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ± 100 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ – ÁÁÁ ÁÁÁ ppm/ ° C 注释: 1.谈及至图示 1 为测试情况为度量. 电的特性 (为所有值 t 一个 = 25 ° c, 除非否则指出.) 典型的标识最小值 Typ 最大值单位 mc33460/461 – 4.5 ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ 探测器门槛 (v 在下落) ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ V DET– ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ 4.410 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ 4.500 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ 4.590 ÁÁÁ ÁÁÁ V 探测器门槛 hysteresis V HYS 0.135 0.225 0.315 V ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ 供应电流 (v 在 = 4.34 v) (v 在 = 6.5 v) ÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ I 在 ÁÁÁÁ Á ÁÁÁ ÁÁÁÁ – – ÁÁÁÁ Á ÁÁÁ ÁÁÁÁ 1.1 1.3 ÁÁÁÁ Á ÁÁÁ ÁÁÁÁ 3.3 3.3 ÁÁÁ Á ÁÁ ÁÁÁ µ 一个最大运行电压 V 在(最大值) – – 10 V 最小运行电压 (–40 ° C ≤ T 一个 ≤ 85 ° c) V 在(最小值) – – 0.55 0.65 0.70 0.80 V ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ 输出电流 (输出) ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ I 输出 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁ Nch (v 输出 = 0.05v, v 在 = 0.70v) 0.01 0.05 – 毫安 (v 输出 = 0.50v, v 在 = 1.5v) 1.0 2.0 – 毫安 cmos 输出高 (v 输出 = 6.9v, v 在 = 8.0v) 1.5 3.0 – 毫安 ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ 输出延迟时间 (便条 1) ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ t pd ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ – ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ – ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ 100 ÁÁÁ ÁÁÁ µ s ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ 探测器门槛温度系数 (–40 ° C ≤ T 一个 ≤ 85 ° c) ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ D V DET– / D T ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ – ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ± 100 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ – ÁÁÁ ÁÁÁ ppm/ ° C 注释: 1.谈及至图示 1 为测试情况为度量.

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com