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资料编号:564304
 
资料名称:Q67100-Q942
 
文件大小: 136.12K
   
说明
 
介绍:
1M x 36-Bit Dynamic RAM Module (2M x 18-Bit Dynamic RAM Module)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组 597
交流 特性
4) 5)
T
一个
= 0 至 70 ˚c;
V
CC
= 5 v
±
10 %;
t
T
= 5 ns
.
参数 标识 限制 值 单位
HYM
361120/40s/gs-60
HYM
361120/40s/gs-70
最小值 最大值 最小值 最大值
随机的 读 或者 写 循环 时间
t
RC
110 130 ns
快 页 模式 循环 时间
t
PC
40 45 ns
进入 时间 从
RAS
6) 11) 12)
t
RAC
60 70 ns
进入 时间 从
CAS
6) 11)
t
CAC
15 20 ns
进入 时间 从 column
地址
6) 12)
t
AA
30 35 ns
进入 时间 从
CAS
prech arge
6)
t
CPA
35 40 ns
cas 至 输出 在 低-z
6)
t
CLZ
0–0–ns
输出 缓存区 转变-止 延迟
7)
t
0 20 0 20 ns
转变 时间 (上升 和 下降)
5)
t
T
3 50 3 50 ns
ras precharge 时间
t
RP
40 50 ns
ras 脉冲波 宽度
t
RAS
60 10000 70 10000 ns
ras 脉冲波 宽度
(快 页 模式)
t
RASP
60 200000 70 200000 ns
cas precharge 至 ras 延迟
t
RHCP
35 40 ns
ras 支撑 时间
t
RSH
15 20 ns
cas 支撑 时间
t
CSH
60 70 ns
cas 脉冲波 宽度
t
CAS
15 10000 20 10000 ns
ras 至 cas 延迟 时间
11)
t
RCD
20 45 20 50 ns
ras 至 column 地址
延迟 时间
12)
t
RAD
15 30 15 35 ns
cas 至 ras precharge 时间
t
CRP
5–5–ns
cas precharge 时间
(快 页 模式)
t
CP
10 10 ns
行 地址 建制 时间
t
ASR
0–0–ns
行 地址 支撑 时间
t
RAH
10 10 ns
column 地址 建制 时间
t
ASC
0–0–ns
column 地址 支撑 时间
t
CAH
15 15 ns
hym 361120/40s/gs-60/-70
1M
×
36-位
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