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资料编号:564304
资料名称:
Q67100-Q942
文件大小: 136.12K
说明
:
介绍
:
1M x 36-Bit Dynamic RAM Module (2M x 18-Bit Dynamic RAM Module)
: 点此下载
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组
597
交流 特性
4) 5)
T
一个
= 0 至 70
˚c;
V
CC
= 5 v
±
10 %;
t
T
= 5 ns
.
参数
标识
限制 值
单位
HYM
361120/40s/gs-60
HYM
361120/40s/gs-70
最小值
最大值
最小值
最大值
随机的 读 或者 写 循环 时间
t
RC
110
–
130
–
ns
快 页 模式 循环 时间
t
PC
40
–
45
–
ns
进入 时间 从
RAS
6) 11) 12)
t
RAC
–
60
–
70
ns
进入 时间 从
CAS
6) 11)
t
CAC
–
15
–
20
ns
进入 时间 从 column
地址
6) 12)
t
AA
–
30
–
35
ns
进入 时间 从
CAS
prech
arge
6)
t
CPA
–
35
–
40
ns
cas 至 输出 在 低-z
6)
t
CLZ
0–0–ns
输出 缓存区 转变-止 延迟
7)
t
止
0
20
0
20
ns
转变 时间 (上升 和 下降)
5)
t
T
3
50
3
50
ns
ras precharge 时间
t
RP
40
–
50
–
ns
ras 脉冲波 宽度
t
RAS
60
10000
70
10000
ns
ras 脉冲波 宽度
(快 页 模式)
t
RASP
60
200000
70
200000
ns
cas precharge 至
ras 延迟
t
RHCP
35
–
40
–
ns
ras 支撑 时间
t
RSH
15
–
20
–
ns
cas 支撑 时间
t
CSH
60
–
70
–
ns
cas 脉冲波 宽度
t
CAS
15
10000
20
10000
ns
ras 至
cas 延迟 时间
11)
t
RCD
20
45
20
50
ns
ras 至 column 地址
延迟 时间
12)
t
RAD
15
30
15
35
ns
cas 至
ras precharge 时间
t
CRP
5–5–ns
cas precharge 时间
(快 页 模式)
t
CP
10
–
10
–
ns
行 地址 建制 时间
t
ASR
0–0–ns
行 地址 支撑 时间
t
RAH
10
–
10
–
ns
column 地址 建制 时间
t
ASC
0–0–ns
column 地址 支撑 时间
t
CAH
15
–
15
–
ns
hym 361120/40s/gs-60/-70
1M
×
36-位
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