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半导体 组 598
交流 特性
(内容’d)
4) 5)
T
一个
= 0 至 70 ˚c;
V
CC
= 5 v
±
10 %;
t
T
= 5 ns
.
参数 标识 限制 值 单位
HYM
361120/40s/gs-60
HYM
361120/40s/gs-70
最小值 最大值 最小值 最大值
column 地址 至
ras 含铅的 时间
t
RAL
30 – 35 – ns
读 command 建制 时间
t
RCS
0–0–ns
读 command 支撑 时间
8)
t
RCH
0–0–ns
读 command 支撑 时间
ref. 至
RAS
8)
t
RRH
0–0–ns
写 command 支撑 时间
t
WCH
10 – 15 – ns
写 command 脉冲波 宽度
t
WP
10 – 15 – ns
写 command 至
ras 含铅的 时间
t
RWL
15 – 20 – ns
写 command 至
cas 含铅的 时间
t
CWL
15 – 20 – ns
数据 建制 时间
9 )
t
DS
0–0–ns
数据 支撑 时间
9 )
t
DH
15 – 15 – ns
refresh 时期
t
REF
– 16 – 16 ms
写 command 建制 时间
10)
t
WCS
0–0–ns
cas 建制 时间
13)
t
CSR
5–5–ns
cas 支撑 时间
13)
t
CHR
15 – 15 – ns
ras 至 cas precharge 时间
t
RPC
0–0–ns
cas precharge 时间
13)
t
CP
10 – 10 – ns
写 至
ras precharge 时间
13)
t
WRP
10 – 10 – ns
写 至 时间 ref. 至
RAS
13)
t
WRH
10 – 10 – ns
hym 361120/40s/gs-60/-70
1M
×
36-位

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半导体组 598 交流特性 (内容’d) 4) 5) T 一个 = 0 至 70 ˚c; V CC = 5 v ± 10 %; t T = 5 ns . 参数标识限制值单位 HYM 361120/40s/gs-60 HYM 361120/40s/gs-70 最小值最大值最小值最大值 column 地址至 ras 含铅的时间 t RAL 30 – 35 – ns 读 command 建制时间 t RCS 0–0–ns 读 command 支撑时间 8) t RCH 0–0–ns 读 command 支撑时间 ref. 至 RAS 8) t RRH 0–0–ns 写 command 支撑时间 t WCH 10 – 15 – ns 写 command 脉冲波宽度 t WP 10 – 15 – ns 写 command 至 ras 含铅的时间 t RWL 15 – 20 – ns 写 command 至 cas 含铅的时间 t CWL 15 – 20 – ns 数据建制时间 9 ) t DS 0–0–ns 数据支撑时间 9 ) t DH 15 – 15 – ns refresh 时期 t REF – 16 – 16 ms 写 command 建制时间 10) t WCS 0–0–ns cas 建制时间 13) t CSR 5–5–ns cas 支撑时间 13) t CHR 15 – 15 – ns ras 至 cas precharge 时间 t RPC 0–0–ns cas precharge 时间 13) t CP 10 – 10 – ns 写至 ras precharge 时间 13) t WRP 10 – 10 – ns 写至时间 ref. 至 RAS 13) t WRH 10 – 10 – ns hym 361120/40s/gs-60/-70 1M × 36-位

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