二月.1999
切换 时间 vs. 根基
电流 (典型)
反转 偏差 safe 运行 范围
切换 时间 t
s
, t
f
(
µ
s)
集电级-发射级 电压 V
CE
(v)根基 反转 电流 –I
B2
(一个)
向前 偏差 safe 运行 范围 减额 因素 的 f. b. s. o. a.
集电级-发射级 电压 V
CE
(v) 情况 温度 T
C
(
°
c)
反转 集电级 电流 vs.
集电级-发射级 反转
电压 (二极管 向前
特性) (典型)
瞬时 热的 阻抗
典型的 (晶体管)
集电级-发射级 反转 电压
–V
CEO
(v)
时间 (s)
集电级 电流 I
C
(一个)
集电级 电流 I
C
(一个)减额 因素 (%)集电级 反转 电流 –I
C
(一个)
mitsubishi 晶体管 modules
qm1000ha-2hb
高 电源 切换 使用
insulated 类型
Z
th (j–c)
(
°
c/ w)
7
5
4
3
2
7
5
4
3
2
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
T
j
=25°C
T
j
=125°C
1
10
2
10
3
10
100
80
60
40
20
0
0 20 60 100 120 16040 80 140
10
30
50
70
90
7
5
3
2
23 57
7
5
3
2
2323 57
2
10
1
10
0
10
0
10
1
10
t
s
t
f
V
CC
=600V
I
C
=1000A
I
B1
=2A
T
j
=25°C
T
j
=125°C
–1
10
753275327532
0.02
0.016
0.012
0.008
0.004
0
23 57
0
10
1
10
–2
10
–3
10
0
10
2400
400
0
0 400 800 1200200 600 1000
1200
1600
800
2000
T
j
=125°C
I
B
=–20A
753275327532
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
T
C
=25°C
2
10
3
10
1
10
0
10
4
10
3
10
2
10
1
10
1ms
直流
200µs
100µs
50µs
第二
损坏
范围
集电级
消耗
非-repetitive
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