二月.1999
3
10
2
10
1
10
0
10
0
10
1
10
0
10
–1
10
–2
10
–3
10
3
10
2
10
1
10
0
10
0
10
1
10
2
10
3
10
400
100
0
0 200 800
300
200
400 600
I
B2
=–8A
T
j
=125°C
I
B2
=–3A
100 300 500 700
753275327532
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
444
T
C
=25°C
50µ
S
直流
1m
S
10m
S
100µ
S
500µ
S
7
5
4
3
2
1
10
7
5
4
3
2
–1
10
23457
0
10
23457
1
10
V
CC
=300V
T
j
=25°C
T
j
=125°C
t
f
t
s
7
0
10
7
2
I
B1
=4A
I
C
=200A
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
1.6
0.4 0.8 1.2 2.00
T
j
=25°C
T
j
=125°C
753275327532
0.16
0.12
0.10
0.04
0
444
23457
0.06
0.14
0.08
0.02
100
90
60
40
20
0
0 16020
40 60 80 100 120 140
80
10
70
50
30
NON–REPETITIVE
集电级
消耗
第二
损坏
范围
切换 时间 vs. 根基
电流 (典型)
反转 偏差 safe 运行 范围
切换 时间 t
s
, t
f
(
µ
s)
集电级-发射级 电压 V
CE
(v)根基 反转 电流 –I
B2
(一个)
向前 偏差 safe 运行 范围 减额 因素 的 f. b. s. o. a.
集电级-发射级 电压 V
CE
(v) 情况 温度 T
C
(
°
c)
反转 集电级 电流 vs.
集电级-发射级 反转
电压 (二极管 向前
特性) (典型)
瞬时 热的 阻抗
典型的 (晶体管)
集电级-发射级 反转 电压
–V
CEO
(v)
时间 (s)
集电级 电流 I
C
(一个)
集电级 电流 I
C
(一个)减额 因素 (%)集电级 反转 电流 –I
C
(一个)
mitsubishi 晶体管 modules
qm200ha-hk
高 电源 切换 使用
insulated 类型
Z
th (j–c)
(
°
c/ w)