二月.1999
1
10
0
10
0
10
–1
10
–2
10
–3
10
3
10
2
10
1
10
0
10
0
10
0
10
1
10
2
10
3
10
160
0
0 200 400 600 800 1000
140
120
100
80
60
40
20
I
B2
=–4A
T
j
=125°C
I
B2
=–2A
753275327532
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
444
T
C
=25°C
t
w
=50µ
S
100µ
S
200µ
S
1m
S
直流
2
10
7
5
4
3
2
1
10
7
5
4
3
2
0
10
–1
10
23457
0
10
23457
1
10
T
j
=25°C
T
j
=125°C
t
f
t
s
V
CC
=600V
I
C
=75A
I
B1
=1.5a
100
90
60
40
20
0
0 16020
40 60 80 100 120 140
80
10
70
50
30
2
10
1
10
7
5
4
3
2
0
10
7
5
4
3
2
0 0.4 0.8 1.2 1.6
2.0
T
j
=25°C
T
j
=125°C
753275327532
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
0.24
0.28
0.32
0
327532
444
4
非-repetitive
集电级
消耗
第二
损坏
范围
切换 时间 vs. 根基
电流 (典型)
反转 偏差 safe 运行 范围
切换 时间 t
s
, t
f
(
µ
s)
集电级-发射级 电压 V
CE
(v)根基 反转 电流 –I
B2
(一个)
向前 偏差 safe 运行 范围 减额 因素 的 f. b. s. o. a.
集电级-发射级 电压 V
CE
(v) 情况 温度 T
C
(
°
c)
反转 集电级 电流 vs.
集电级-发射级 反转
电压 (二极管 向前
特性) (典型)
瞬时 热的 阻抗
典型的 (晶体管)
集电级-发射级 反转 电压
–V
CEO
(v)
时间 (s)
集电级 电流 I
C
(一个)
集电级 电流 I
C
(一个)减额 因素 (%)集电级 反转 电流 –I
C
(一个)
mitsubishi 晶体管 modules
qm75dy-2h
高 电源 切换 使用
insulated 类型
Z
th (j–c)
(
°
c/ w)