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资料编号:569521
 
资料名称:R1LV1616RSD-7SI
 
文件大小: 122.67K
   
说明
 
介绍:
16Mb superSRAM (1M wordx16bit)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Rev.1.00 2004.04.13 1 的 16
REJ03C0101-0100Z
Rev.1.00
2004.04.13
R1LV1616R 序列
16MbsuperSRAM (1m wordx16bit)
描述
这 r1lv1616r 序列 是 一个 家族 的 低 电压 16-mbit 静态的 RAMs 有组织的 作 1048576-words 用 16-
fabricated 用renesas's -效能 0.15um cmos 和 tft 科技.
这 r1lv1616r 序列 是 合适的 为 记忆 产品 where 一个 简单的 接合 , 电池 运行 和
电池 backup 是 这 重要的 设计 objectives.
这 r1lv1616r 序列 是 packaged 在 一个 52pin 微观的 薄的 小 外形 挂载 device[µtsop / 10.79mm x
10.49mm 和 这 管脚-程度 的 0.4mm] 或者 一个 48balls fine 程度 球 grid 排列 [f-BGA/ 7.5mmx8.5mm 和 这 球-程度
的 0.75mm 和 6x8 array] . 它 给 这 最好的 解决方案 为 一个 竞赛action 的 挂载 范围 作 好 作 flexibility 的 线路
模式 的 打印 电路 boards.
单独的 2.7-3.6v 电源 供应
小 保卫-用 电流:2µ一个 (3.0v,典型值.)
数据 保持 供应 电压 =2.0v
非 clocks, 非 refresh
所有 输入 和 输出 是 ttl兼容
容易 记忆 expansion 用 cs1#, cs2, lb# 和 ub#
一般 数据 i/o
-状态 输出: 或者-系 能力
oe# 阻止 数据 contention 在 这 i/o 总线
处理 技术: 0.15um cmos
特性
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