半导体 组件 industries, llc, 2003
12月, 2003 − rev. 2
1
发行 顺序 号码:
mbra120et3/d
MBRA120ET3
表面 挂载
肖特基 电源 整流器
sma 电源 表面 挂载 包装
. . . employing 这 肖特基 屏障 principle 在 一个 metal−to−silicon
电源 整流器. 特性 外延的 构建 和 oxide passivation
和 metal overlay 联系. ideally suited 为 低 电压, 高
频率 切换 电源 供应; 自由 转动 二极管 和
极性 保护 二极管.
•
紧凑的 包装 和 j−bend leads 完美的 为 automated 处理
•
高级地 稳固的 oxide 钝化的 接合面
•
保护环 为 over−voltage 保护
•
优化 为 低 泄漏 电流
机械的 特性:
•
情况: 模塑的 环氧的
•
环氧的 满足 ul94, v
O
在 1/8
″
•
重量: 70 mg (大概)
•
完成: 所有 外部 surfaces corrosion resistant 和 终端
leads 是 readily solderable
•
含铅的 和 挂载 表面 温度 为 焊接 目的:
260
°
c 最大值 为 10 秒
•
极性: 极性 带宽 indicates cathode 含铅的
•
有 在 12 mm 录音带, 5000 单位 每 13 inch 卷轴
•
设备 满足 msl1 (所需的)东西
•
静电释放 比率: 机器 模型, c (>400 v)
人 身体 模型, 3b (>8000 v)
•
标记: b1e2
最大 比率
比率 标识 值 单位
顶峰 repetitive 反转 电压
working 顶峰 反转 电压
直流 blocking 电压
V
RRM
V
RWM
V
R
20 V
平均 调整的 向前 电流
(在 评估 v
R
, t
C
= 125
°
c)
I
O
1.0 一个
non−repetitive 顶峰 surge 电流
(surge 应用 在 评估 加载 情况
halfwave, 单独的 阶段, 60 hz)
I
FSM
40 一个
存储 温度 T
stg
−55 至 +150
°
C
运行 接合面 温度 T
J
−55 至 +150
°
C
电压 比率 的 改变
(评估 v
R
, t
J
= 25
°
c)
dv/dt 10,000 v/
s
设备 包装 Shipping
†
订货 信息
MBRA120ET3 SMA 5000/录音带 &放大; 卷轴
肖特基 屏障
整流器
1 ampere
20 伏特
SMA
情况 403d
塑料
标记
图解
b1e2 = 设备 代号
B1E2
http://onsemi.com
†for 信息 在 录音带 和 卷轴 规格,
包含 部分 方向 和 录音带 sizes, 请
谈及 至 我们的 录音带 和 卷轴 包装 规格
brochure, brd8011/d.
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