产品 规格 RC5051
rev. 1.0.4 4/2/01
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决定 用 这 瞬时 回馈 和 这 输出 波纹
电压, 和 这些 是 决定 用 这 等效串联电阻 和 不 这
电容 值. 那 是, 在 顺序 至 达到 这 需要
等效串联电阻 至 满足 这 瞬时 和 波纹 (所需的)东西, 这
电容 值 必需的 是 already 非常 大.
这 大多数 commonly 使用 选择 为 输出 大(量) 电容
是 铝 electrolytics, 因为 的 它们的 低 费用 和 低
等效串联电阻. 这 仅有的 类型 的 铝 电容 使用 应当 是
那些 那 有 一个 等效串联电阻 评估 在 100khz. 咨询 应用
公告 ab-14 为 详细地 信息 在 输出 电容
选择.
这 输出 电容 应当 也 包含 一个 号码 的
小 值 陶瓷的 电容 放置 作 关闭 作 可能 至
这 处理器; 0.1
µ
f 和 0.01
µ
f 是 推荐 值.
输入 过滤
这 直流-直流 转换器 设计 将 包含 一个 输入 inductor
在 这 系统 +5v 供应 和 这 转换器 输入 作
显示 在 图示 6. 这个 inductor serves 至 分开 这 +5v
供应 从 这 噪音 在 这 切换 portion 的 这 直流-直流
转换器, 和 至 限制 这 inrush 电流 在 这 输入 capac-
itors 在 电源 向上. 一个 值 的 2.5
µ
h 是 推荐.
它 是 需要 至 有 一些 低 等效串联电阻 铝 electrolytic
电容 在 这 输入 至 这 转换器. 这些 电容
deliver 电流 当 这 高 一侧 场效应晶体管 switches 在.
图示 6 显示 3 x 1000
µ
f, 但是 这 精确的 号码 必需的
将 相异 和 这 速 和 类型 的 这 处理器. 为 这
顶 速 klamath 和 deschutes, 这 电容 应当 是
评估 至 引领 7a 的 波纹 电流. 电容 波纹 电流
比率 是 一个 函数 的 温度, 和 所以 这 生产者
应当 是 contacted 至 find 输出 这 波纹 电流 比率 在 这
预期的 运算的 温度. 为 详细信息 在 这 设计
的 一个 输入 filter, 谈及 至 产品 公告 ab-15.
图示 6. 输入 过滤
droop 电阻
图示 7 显示 一个 转换器 使用 一个 “droop resistor”, r
D
. 这
函数 的 这 droop 电阻 是 至 改进 这 瞬时
回馈 的 这 转换器, 可能地 减少 这 号码 的
输出 电容 必需的. 在 运作, 这 droop 电阻
导致 这 输出 电压 至 是 slightly 更小的 在 重的 加载
电流 比 它 否则 将 是. 当 这 加载 transitions
从 重的 至 明亮的 电流, 这 输出 能 摆动 向上 farther
没有 exceeding 限制, 因为 它 started 从 一个 更小的
电压, 因此 减少 这 电容 (所需的)东西.
.
图示 7. 使用 的 一个 droop 电阻
pcb 布局 指导原则
• placement 的 这 mosfets 相关的 至 这 rc5051 是
核心的. 放置 这 mosfets 此类 那 这 查出 长度 的
这 hidrv 和 lodrv 管脚 的 这 rc5051 至 这 场效应晶体管
门 是 使减少到最低限度. 一个 长 含铅的 长度 在 这些 管脚 将
导致 高 amounts 的 ringing 预定的 至 这 电感 的 这
查出 和 这 门 电容 的 这 场效应晶体管. 这个 噪音
radiates 全部地 这 板, 和, 因为 它 是 切换
在 此类 一个 高 电压 和 频率, 它 是 非常 difficult 至
压制.
• 在 一般, 所有 的 这 嘈杂的 切换 线条 应当 是 保持
away 从 这 安静 相似物 部分 的 这 rc5051. 那
是, 查出 那 连接 至 管脚 9, 12, 和 13 (lodrv,
hidrv 和 vccqp) 应当 是 保持 far away 从 这
查出 那 连接 至 管脚 1 通过 5, 和 管脚 16.
• 放置 这 0.1
µ
f 解耦 电容 作 关闭 至 这
rc5051 管脚 作 可能. extra 含铅的 长度 在 这些
减少 它们的 能力 至 压制 噪音.
• 各自 vcc 和 地 管脚 应当 有 它的 自己的 通过 至 这
适合的 平面. 这个 helps 提供 分开 在
管脚.
• surround 这 cext 定时 电容 和 一个 地面 查出.
是 确信 至 放置 一个 地面 或者 电源 平面 underneath 这
电容 为 更远 噪音 分开, 在 顺序 至 提供
额外的 防护 至 这 振荡器 (管脚 1) 从 这 噪音
在 这 pcb. 在 增加, 放置 这个 电容 作 关闭 至
管脚 1 作 可能.
• 放置 这 mosfets, inductor, 和 肖特基 作 关闭
一起 作 可能 为 这 一样 reasons 作 在 这 first
bullet 在之上. 放置 这 输入 大(量) 电容 作 关闭 至
这 drains 的 这 高 一侧 mosfets 作 可能. 在
增加, placement 的 一个 0.1
µ
f 解耦 cap 正确的 在
这 流 的 各自 高 一侧 场效应晶体管 helps 至 压制
一些 的 这 高 频率 切换 噪音 在 这 输入
的 这 直流-直流 转换器.
• 放置 这 输出 大(量) 电容 作 关闭 至 这 cpu 作
可能 至 优化 它们的 能力 至 供应 instantaneous
电流 至 这 加载 在 这 事件 的 一个 电流 瞬时.
额外的 空间 在 这 输出 电容 和 这
cpu 将 准许 这 parasitic 阻抗 的 这 板 查出
至 降级 这 直流-直流 转换器’s 效能 下面
severe 加载 瞬时 情况, 造成 高等级的 电压
背离. 为 更多 详细地 信息 关于
电容 placement, 谈及 至 应用 公告 ab-5.
1000
µ
f, 10v
Electrolytic
0.1
µ
F
65-5051-09
2.5
µ
H
5V
Vin
65-5051-14
L2
Q1
Q2
IFB VFB
R
SENSE
R
DROOP
C
输出
VO
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