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资料编号:574717
 
资料名称:RD3.0E
 
文件大小: 95.2K
   
说明
 
介绍:
500 mW DHD ZENER DIODE DO-35
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
齐纳 二极管
描述
nec 类型 rd2.0e 至 rd200e 序列 是 planar 类型 齐纳 二极管 在 这
popular 做-35 包装 和 dhd (翻倍 散热器 二极管) 构建
having 容许的 电源 消耗 的 500 mw. 至 满足 各种各样的 应用
在 客户, v
z
(齐纳 电压) 是 classified 在 这 tight 容忍 下面
这 明确的 后缀 (b, b1 至 b7).
特性
dhd (翻倍 散热器 二极管) 构建
•V
z
: 应用 e24 标准 (rd130e 至 rd200e: 10 伏特 步伐)
做-35 glass sealed 包装
顺序 信息
rd2.0 e 至 rd39e 和 后缀 “b1”, “b2”, “b3”, “b4”, “b5”, “b6” 或者 “b7”
应当 是 应用 为 顺序 为 后缀 “b”.
rd2.0e RD200E
文档 非. d10213ej5v0ds00 (5th 版本)
日期 发行 12月 1998 n cp(k)
打印 在 日本
向前 电流 I
F
200 毫安
电源 消耗 P 500 mw
surge 反转 电源 P
RSM
100 w (t = 10
µ
s) 至 看 图. 17
接合面 温度 T
j
175 ˚c
存储 温度 T
stg
–65 至 +175 ˚c
0.5
φ
25 最小值.4.2 最小值.25 最小值
2.0 最大值
φ
Cathode
indication
(在 毫米)
包装 维度
©
1981
数据 薄板
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