mitsubishi rf 电源 mos 场效应晶体管
RD60HUF1
硅 场效应晶体管 电源 晶体管 520mhz,60w
RD60HUF1
mitsubishi electric
rev.1 14 将. 2003
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静电的 敏感的 设备
注意到 处理 预防措施
典型 特性
流 消耗 vs.
包围的 温度
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0 40 80 120 160 200
包围的 温度 ta(°c)
频道 消耗
pch(w)
vds vs. crss 特性
0
10
20
30
40
50
0 5 10 15 20
vds(v)
crss(pf)
Ta=+25°C
f=1MHz
vds vs. coss 特性
0
50
100
150
200
250
300
350
0 5 10 15 20
vds(v)
coss(pf)
Ta=+25°C
f=1MHz
vds vs. ciss 特性
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0 5 10 15 20
vds(v)
ciss(pf)
Ta=+25°C
f=1MHz
vds-ids 特性
0
2
4
6
8
10
0246810
vds(v)
ids(一个)
Ta=+25°C
vgs=3.1v
vgs=2.8v
vgs=2.5v
vgs=2.2v
vgs-ids 特性
0
2
4
6
8
10
01234
vgs(v)
ids(一个)
Ta=+25°C
Vds=10V
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