mitsubishi rf 电源 mos 场效应晶体管
RD60HUF1
硅 场效应晶体管 电源 晶体管 520mhz,60w
RD60HUF1
mitsubishi electric
rev.1 14 将. 2003
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静电的 敏感的 设备
注意到 处理 预防措施
典型 特性
管脚-po 特性
0
10
20
30
40
50
10 20 30 40
管脚(dbm)
po(dbm) , gp(db) ,
idd(一个)
0
20
40
60
80
100
η
d(%)
Ta=+25°C
f=520MHz
vdd=12.5v
idq=2.5a
Po
η
ｄ
Ｉｄｄ
Gp
管脚-po 特性
0
20
40
60
80
100
0 5 10 15 20
管脚(w)
pout(w) , idd(一个)
0
20
40
60
80
100
η
d(%)
Po
η
d
Idd
Ta=25°C
f=520MHz
vdd=12.5v
idq=2.5a
vdd-po 特性
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
4 6 8 10 12 14
vdd(v)
po(w)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
idd(一个)
Po
Idd
Ta=25°C
f=520MHz
Pin=10W
idq=2.5a
zg=zi=50 ohm
vgs-ids 特性 2
0
2
4
6
8
10
234
vgs(v)
ids(一个)
Vds=10V
tc=-25~+75°c
-25°c
+75°C
+25°C
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