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相似物 微电子学, 公司
7
AME8841
600ma cmos ldo
短的 电路 回馈
V
输出
(1v/div)    i
输出
(200mv/div)
时间 (2ms/div)
C
加载
=2.2
µ
F
C
在
=1
µ
F
R
加载
<100m
Ω
0
0
碎片 使能 瞬时 回馈
时间 ( 1ms/div)
C
L
=2
µ
F
R
L
=10
Ω
输出 (1v/div)        使能 (2v/div)
线条 瞬时 回馈
V
输出
(10mv/div)       v
在
(1v/div)
C
加载
=2.2
µ
F
I
加载
=1mA
V
OUTDC
=3.3v
V
INDC
=4.5v
时间 (200ms/div)
电流 限制 回馈
I
输出
(200ma/div)   v
输出
(1v/div)
时间 (2ms/div)
C
加载
=2.2
µ
F
C
在
=1.0
µ
F
R
加载
=3.3
Ω
V
OUTNOM
=3.3v
overtemperature 关闭
V
输出
(1v/div)     i
输出
(200ma/div)
时间 (0.5sec/div)
R
加载
=6.6
Ω
0
0
噪音 度量
时间 (20ms/div)
vo (1mv/ div)
C
L
= 2.2
µ
F
非 过滤

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相似物微电子学, 公司 7 AME8841 600ma cmos ldo 短的电路回馈 V 输出 (1v/div) i 输出 (200mv/div) 时间 (2ms/div) C 加载 =2.2 µ F C 在 =1 µ F R 加载 <100m Ω 0 0 碎片使能瞬时回馈时间 ( 1ms/div) C L =2 µ F R L =10 Ω 输出 (1v/div) 使能 (2v/div) 线条瞬时回馈 V 输出 (10mv/div) v 在 (1v/div) C 加载 =2.2 µ F I 加载 =1mA V OUTDC =3.3v V INDC =4.5v 时间 (200ms/div) 电流限制回馈 I 输出 (200ma/div) v 输出 (1v/div) 时间 (2ms/div) C 加载 =2.2 µ F C 在 =1.0 µ F R 加载 =3.3 Ω V OUTNOM =3.3v overtemperature 关闭 V 输出 (1v/div) i 输出 (200ma/div) 时间 (0.5sec/div) R 加载 =6.6 Ω 0 0 噪音度量时间 (20ms/div) vo (1mv/ div) C L = 2.2 µ F 非过滤

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