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RF2001T3D
二极管
1/3
快 恢复 二极管
RF2001T3D
1.2
1.3
0.8
2.54±0.52.54±0.5
(1) (2) (3)
7.2
φ3.1±0.1
φ1.2
7.0±0.3
　　　 0.1
10.0±0.3
　　　 0.1
5.0±0.2 8.0±0.2
12.0±0.2
17.0±0.4
0.2
1.8±0.2
2.8±0.2
　　　 0.1
4.5±0.3
　　　 0.1
0.7±0.015
2.6±0.03
13.5min
8.0
15.0
1.1
7.2
7.0
0.8
1.6
12.4
3-φ1.2
1.35
0.7±0.015
2.6±0.03
1.9
9.9
2.2
0.8
10.0
0.3
①
ROhm : ＴO220FN
①
Manufacture 日期
z
产品
z
外部 维度
(单位 : mm)
z
结构
一般 整流
z
特性
1)
cathode 一般 类型.
(至-220)
2) 过激 低 v
F
3) 非常 快 恢复
4) 低 切换 丧失
z
构建
硅 外延的 planar
z
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
Symbol 单位
V
300
RM
V
V
R
V
Io 一个
I
FSM
一个
Tj
℃
Tstg
℃
1) 每 碎片
：
Io/2
Parameter
everse 电压 (直流)
everse 电压 (repetitive 顶峰)
Lim它的
300
-55 至 +150
orward 电流 surge 顶峰
（
60Hz
・
1cyc
）
20
unction temperature
100
torage temperature
verage 调整的 向前 电流(*1)
150
R
R
F
J
S
一个
(*
z
电的 典型的
(ta=25
°
c)
Symbol 最小值 典型值 最大值 单位 情况
V
F
--1.3v
I
F
=10A
反转 电流 I
R
--10µa
V
R
=200V
Reverse 恢复 tim e
trr
--25ns
I
F
=0.5a,i
R
=1a,irr=0.25*i
R
orward 电压
Parameter
F

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RF2001T3D 二极管 1/3 快恢复二极管 RF2001T3D 1.2 1.3 0.8 2.54±0.52.54±0.5 (1) (2) (3) 7.2 φ3.1±0.1 φ1.2 7.0±0.3 　　　 0.1 10.0±0.3 　　　 0.1 5.0±0.2 8.0±0.2 12.0±0.2 17.0±0.4 0.2 1.8±0.2 2.8±0.2 　　　 0.1 4.5±0.3 　　　 0.1 0.7±0.015 2.6±0.03 13.5min 8.0 15.0 1.1 7.2 7.0 0.8 1.6 12.4 3-φ1.2 1.35 0.7±0.015 2.6±0.03 1.9 9.9 2.2 0.8 10.0 0.3 ① ROhm : ＴO220FN ① Manufacture 日期 z 产品 z 外部维度 (单位 : mm) z 结构一般整流 z 特性 1) cathode 一般类型. (至-220) 2) 过激低 v F 3) 非常快恢复 4) 低切换丧失 z 构建硅外延的 planar z 绝对最大比率 (ta=25 ° c) Symbol 单位 V 300 RM V V R V Io 一个 I FSM 一个 Tj ℃ Tstg ℃ 1) 每碎片： Io/2 Parameter everse 电压 (直流) everse 电压 (repetitive 顶峰) Lim它的 300 -55 至 +150 orward 电流 surge 顶峰（ 60Hz ・ 1cyc ） 20 unction temperature 100 torage temperature verage 调整的向前电流(1) 150 R R F J S 一个 ( z 电的典型的 (ta=25 ° c) Symbol 最小值典型值最大值单位情况 V F --1.3v I F =10A 反转电流 I R --10µa V R =200V Reverse 恢复 tim e trr --25ns I F =0.5a,i R =1a,irr=0.25*i R orward 电压 Parameter F

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