这 rf 线条
设计 primarily 为 产品 作 一个 high–power 直线的 放大器 从 2.0
至 30 mhz.
•
指定 28 volt, 30 mhz 特性 —
输出 电源 = 150 w (pep)
最小 增益 = 10 db
效率 = 40%
•
交调 扭曲量 @ 150 w (pep) —
imd = –30 db (最小值)
•
100% 测试 为 加载 mismatch 在 所有 阶段 angles 和 30:1 vswr
最大 比率
比率 标识 值 单位
collector–emitter 电压 V
CEO
40 Vdc
collector–base 电压 V
CBO
85 Vdc
emitter–base 电压 V
EBO
3.0 Vdc
集电级 电流 — 持续的 I
C
20 模数转换器
承受 电流 — 10 s — 30 模数转换器
总的 设备 消耗 @ t
C
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
290
1.66
Watts
w/
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–65 至 +150
°
C
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况 R
θ
JC
0.6
°
c/w
电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出.)
典型的
标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
collector–emitter 损坏 电压 (i
C
= 200 madc, i
B
= 0) V
(br)ceo
35 — — Vdc
collector–emitter 损坏 电压 (i
C
= 100 madc, v
是
= 0) V
(br)ces
85 — — Vdc
collector–base 损坏 电压 (i
C
= 100 madc, i
E
= 0) V
(br)cbo
85 — — Vdc
emitter–base 损坏 电压 (i
E
= 10 madc, i
C
= 0) V
(br)ebo
3.0 — — Vdc
集电级 截止 电流 (v
CE
= 28 vdc, v
是
= 0, t
C
= 25
°
c) I
CES
— — 20 mAdc
(持续)
150 w (pep), 30 mhz
rf 电源
晶体管
npn 硅
情况 211–11, 样式 1
顺序 这个 文档
用 mrf
422/d
半导体 technicaLD一个T一个
1
rev 6
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