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资料编号:577074
 
资料名称:STK14D88-RF45
 
文件大小: 216.81K
   
说明
 
介绍:
32K x 8 AutoStore nvSRAM CMOS Nonvolatile Static RAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
STK14D88
april 2005
文档 控制 #ml0033 rev 1.2
6
sram 写 循环 #1 &放大; #2
注释
g: 如果 W
是 低 当 E 变得 低, 这 输出 仍然是 在 这 高-阻抗 状态.
h: e
或者 W 必须 是
V
IH
在 地址 transitions.
sram 写 循环 #1:
W 控制
h,f
sram 写 循环 #2:
E
控制
h,f
symbols stk14d88-25 stk14d88-35 stk14d88-45 单位
非.
#1 #2 alt.
参数
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
12 t
AVAV
t
AVAV
t
WC
写 循环 时间
25 35 45 ns
13 t
WLWH
t
WLEH
t
WP
写 脉冲波 宽度
20 25 30 ns
14 t
ELWH
t
ELEH
t
CW
碎片 使能 至 终止 的 写
20 25 30 ns
15 t
DVWH
t
DVEH
t
DW
数据 设置-向上 至 终止 的 写
10 12 15 ns
16 t
WHDX
t
EHDX
t
DH
数据 支撑 之后 终止 的 写
0 0 0 ns
17 t
AVWH
t
AVEH
t
AW
地址 设置-向上 至 终止 的 写
20 25 30 ns
18 t
AVWL
t
AVEL
t
地址 设置-向上 至 开始 的 写
0 0 0 ns
19 t
WHAX
t
EHAX
t
WR
地址 支撑 之后 终止 的 写
0 0 0 ns
20 t
WLQZ
e,g
t
WZ
写 使能 至 输出 使不能运转
10 13 15 ns
21 t
WHQX
t
OW
输出 起作用的 之后 终止 的 写
3 3 3 ns
地址
数据 输出
数据 在
W
E
地址
高 阻抗
数据 有效的
previous 数据
14
t
ELWH
19
t
WHAX
17
t
AVWH
18
t
AVWL
13
t
WLWH
15
t
DVWH
16
t
WHDX
20
t
WLQZ
21
t
WHQX
12
t
一个VAV
数据 输出
数据 在
W
E
高 阻抗
数据 有效的
12
t
AVAV
14
t
ELEH
18
t
AVEL
19
t
EHAX
17
t
AVEH
13
t
WLEH
15
t
DVEH
16
t
EHDX
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