IRFB17N60K
11/19/02
www.irf.com 1
smps 场效应晶体管
HEXFET
电源 场效应晶体管
V
DSS
R
ds(在)
典型值 I
D
600V 0.35
Ω
17A
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 17
I
D
@ t
C
= 100°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 11 一个
I
DM
搏动 流 电流
68
P
D
@T
C
= 25°c 电源 消耗 340 W
直线的 减额 因素 2.7 w/°c
V
GS
门-至-源电压 ± 30 V
dv/dt 顶峰二极管 恢复 dv/dt
11 v/ns
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 150
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300
(1.6mm 从 情况 )
°C
挂载 torque, 6-32 或者 m3 screw 10 N
绝对 最大 比率
至
-
220AB
转变 模式 电源 供应 (smps)
uninterruptible 电源 供应
高 速 电源 切换
hard 切换 和 高 频率
电路
益处
产品
小 至-220 包装
低 门 承担 qg 结果 在 简单的 驱动 必要条件
改进 门, avalanche 和 动态dv/dt 强壮
全部地 典型 电容 和 avalanche 电压
和 电流
标识 参数 典型值 最大值 单位
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
––– 330 mJ
I
AR
avalanche 电流
––– 17 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
––– 34 mJ
avalanche 特性
标识 参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 ––– 0.37
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面 0.50 ––– °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的 ––– 58
热的 阻抗
pd - 94578
: 点此下载
