©2002 仙童 半导体 公司 rfd3055, rfd3055sm, rfp3055 rev. b
绝对 最大 比率
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
rfd3055, rfd3055sm, rfp3055 单位
流 至 源 电压 (便条 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
DSS
60 V
流 至 门 电压 (r
GS
= 20k
Ω
) (便条 1). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .V
DGR
60 V
门 至 源 电压 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .v
GS
±
20 V
持续的 流 电流 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
D
12 一个
搏动 流 电流 (便条 3) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
DM
谈及 至 顶峰 电流 曲线 一个
单独的 脉冲波 avalanche 比率 (计算数量 14, 15) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
作
谈及 至 uis 曲线
电源 消耗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .P
D
53 W
直线的 减额 因素. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.357 w/
o
C
运行 和 存储 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .t
J
, t
STG
-55 至 175
o
C
最大 温度 为 焊接
leads 在 0.063in (1.6mm) 从 情况 为 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
L
包装 身体 为 10s, 看 techbrief 334 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
pkg
300
260
o
C
o
C
提醒: 压力 在之上 那些 列表 在 “absolute 最大 ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 仅有的 比率 和 运作 的 这
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
便条:
1. T
J
= 25
o
c 至 150
o
c.
电的 specifications
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流 至 源 损坏 电压 BV
DSS
I
D
= 250
µ
一个, v
GS
= 0v (图示 11) 60 - - V
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
GS
= v
DS
, i
D
= 250
µ
一个 (图示 10) 2 - 4 V
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 评估 bv
DSS
, v
GS
= 0v - - 1
µ
一个
T
C
= 125
o
c, v
DS
= 0.8 x 评估 bv
DSS
--25
µ
一个
门 至 源 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
=
±
20V - - 100 nA
流 至 源 在 阻抗 r
ds(在)
I
D
= 12a, v
GS
= 10v (图示 9) (便条 2) - - 0.150
Ω
转变-在 时间 t
在
V
DD
= 30v, i
D
= 12a
R
L
= 2.5
Ω
, v
GS
= +10v
R
G
= 10
Ω
(图示 13)
- - 40 ns
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
-7-ns
上升 时间 t
r
-21- ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
-16- ns
下降 时间 t
f
-10- ns
转变-止 时间 t
止
- - 40 ns
总的 门 承担 Q
g(tot)
V
GS
= 0 至 20v V
DD
= 48v,i
D
= 12a,
R
L
= 4
Ω,
I
g(ref)
= 0.24ma
(图示 13)
-1923nc
门 承担 在 10v Q
g(10)
V
GS
= 0 至 10v - 10 12 nC
门槛 门 承担 Q
g(th)
V
GS
= 0 至 2v - 0.6 0.8 nC
输入 电容 C
ISS
V
DS
= 25v, v
GS
= 0v,
f = 1mhz (图示 12)
- 300 - pF
输出 电容 C
OSS
- 100 - pF
反转 转移 电容 C
RSS
-30- pF
热的 阻抗 接合面 至 情况 R
θ
JC
- - 2.8
o
c/w
热的 阻抗 接合面 至 包围的 R
θ
JA
至-251 和 至-252 - - 100
o
c/w
至-220 - - 62.5
o
c/w
源 至 流 二极管 specifications
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
源 至 流 二极管 电压 V
SD
I
SD
= 12a - - 1.5 V
反转 恢复 时间 t
rr
I
SD
= 12a, di
SD
/dt = 100a/
µ
s - - 100 ns
注释:
2. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
≤
300ms, 职责 循环
≤
2%.
3. repetitive 比率: 脉冲波 宽度 限制 用 最大值 接合面 温度. 看 瞬时 热的 阻抗 曲线 (图示 3) 和 顶峰 电流
能力 曲线 (图示 5).
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