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资料编号:582140
 
资料名称:RN1421
 
文件大小: 322.45K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
 
 


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RN1421
RN1427
2002-02-08
2
电的 特性 (ta = 25
°
c)
典型的 标识
测试
电路
测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
V
CB
= 50v, i
E
= 0
100
集电级 截-止
电流
RN1421~1427
I
CEO
V
CE
= 50v, i
B
= 0
500
nA
rn1421 3.85
7.14
rn1422 1.75
3.25
rn1423 0.82
1.52
RN1424
V
EB
= 10v, i
C
= 0
0.38
0.71
rn1425 0.365
0.682
RN1426
V
EB
= 5v, i
C
= 0
0.35
0.65
发射级 截-止 电流
RN1427
I
EBO
V
EB
= 6v, i
C
= 0 0.378
0.703
毫安
rn1421 60
rn1422 65
rn1423 70
rn1424 90
rn1425 90
rn1426 90
直流 电流 增益
RN1427
h
FE
V
CE
= 1v, i
C
= 100ma
90
I
C
= 50ma, i
B
= 2ma
集电级-发射级
饱和 电压
rn1421~1427 v
ce (sat)
I
C
= 50ma, i
B
= 1ma
0.25
V
RN1421
1.0
3.5
RN1422
1.4
4.5
RN1423
2.0
6.5
RN1424
3.0
12.0
RN1425
0.6
2.0
RN1426
0.7
2.5
输入 电压 (在)
RN1427
V
i (在)
V
CE
= 0.2v, i
C
= 100ma
1.0
3.0
V
RN1421~1424
0.8
1.3
rn1425, 1426
0.4
0.8
输入 电压 (止)
RN1427
V
i (止)
V
CE
= 5v, i
C
= 0.1ma
0.5
1.0
V
转变 频率 RN1421~1427 f
T
V
CE
= 5v, i
C
= 20ma
300
MHz
集电级 输出
电容
rn1421~1427 c
ob
V
CB
= 10v, i
E
= 0,
f = 1mh
z
7
pF
RN1421
0.7 1.0 1.3
RN1422
1.54 2.2 2.86
RN1423
3.29 4.7 6.11
RN1424
7 10 13
RN1425
0.329 0.47 0.61
RN1426
0.7 1.0 1.3
输入 电阻
RN1427
R1
1.54 2.2 2.86
k
RN1421~1424
0.9 1.0 1.1
RN1425
0.0423 0.047 0.0517
RN1426 0.09 0.1 0.11
电阻 比率
RN1427
r1/r2
0.2 0.22 0.24
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