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资料编号:582140
资料名称:
RN1421
文件大小: 322.45K
说明
:
介绍
:
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
RN1421
RN1427
2002-02-08
2
电的 特性 (ta = 25
°
c)
典型的 标识
测试
电路
测试 情况
最小值
典型值
最大值
单位
I
CBO
V
CB
= 50v, i
E
= 0
―
―
100
集电级 截-止
电流
RN1421~1427
I
CEO
―
V
CE
= 50v, i
B
= 0
―
―
500
nA
rn1421 3.85
―
7.14
rn1422 1.75
―
3.25
rn1423 0.82
―
1.52
RN1424
V
EB
= 10v, i
C
= 0
0.38
―
0.71
rn1425 0.365
―
0.682
RN1426
V
EB
= 5v, i
C
= 0
0.35
―
0.65
发射级 截-止 电流
RN1427
I
EBO
―
V
EB
= 6v, i
C
= 0
0.378
―
0.703
毫安
rn1421 60
―
―
rn1422 65
―
―
rn1423 70
―
―
rn1424 90
―
―
rn1425 90
―
―
rn1426 90
―
―
直流 电流 增益
RN1427
h
FE
―
V
CE
= 1v, i
C
= 100ma
90
―
―
―
I
C
= 50ma, i
B
= 2ma
集电级-发射级
饱和 电压
rn1421~1427 v
ce (sat)
―
I
C
= 50ma, i
B
= 1ma
―
―
0.25
V
RN1421
1.0
―
3.5
RN1422
1.4
―
4.5
RN1423
2.0
―
6.5
RN1424
3.0
―
12.0
RN1425
0.6
―
2.0
RN1426
0.7
―
2.5
输入 电压 (在)
RN1427
V
i (在)
―
V
CE
= 0.2v, i
C
= 100ma
1.0
―
3.0
V
RN1421~1424
0.8
―
1.3
rn1425, 1426
0.4
―
0.8
输入 电压 (止)
RN1427
V
i (止)
―
V
CE
= 5v, i
C
= 0.1ma
0.5
1.0
V
转变 频率
RN1421~1427
f
T
―
V
CE
= 5v, i
C
= 20ma
―
300
―
MHz
集电级 输出
电容
rn1421~1427 c
ob
―
V
CB
= 10v, i
E
= 0,
f = 1mh
z
―
7
―
pF
RN1421
0.7 1.0 1.3
RN1422
1.54 2.2 2.86
RN1423
3.29 4.7 6.11
RN1424
7 10 13
RN1425
0.329 0.47
0.61
RN1426
0.7 1.0 1.3
输入 电阻
RN1427
R1
―
―
1.54 2.2 2.86
k
Ω
RN1421~1424
0.9 1.0 1.1
RN1425
0.0423 0.047 0.0517
RN1426
0.09 0.1 0.11
电阻 比率
RN1427
r1/r2
―
―
0.2 0.22 0.24
―
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