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资料编号:587270
 
资料名称:RZ1214B35Y
 
文件大小: 69.52K
   
说明
 
介绍:
NPN microwave power transistor
 
 


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1997 二月 18 2
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 微波 电源 晶体管 RZ1214B35Y
特性
interdigitated 结构 提供 高 发射级 效率
diffused 发射级 ballasting 电阻 供应 极好的
电流 分享 和 承受 一个 高 vswr
金 敷金属 realizes 非常 稳固的 特性
和 极好的 存在期
multicell geometry 给 好的 balance 的 dissipated
电源 和 低 热的 阻抗
内部的 输入 相一致 确保 好的 稳固 和
准许 一个 easier 设计 的 wideband 电路.
产品
一般 根基 类-c wideband 搏动 电源
放大器 为 l-带宽 radar 产品 在 这
1.2 1.4 ghz 带宽.
描述
npn 硅 planar 外延的 微波 电源 晶体管 在
一个 sot443a metal 陶瓷的 flange 包装 和 这 根基
连接 至 这 flange.
固定 - sot443a
管脚 描述
1 集电级
2 发射级
3 根基 连接 至 flange
图.1 simplified 外形 和 标识.
handbook, halfpage
MAM314
1
2
3
顶 视图
e
c
b
快 涉及 数据
微波 效能 向上 至 t
mb
=25
°
c 在 一个 一般 根基 类-c wideband amplifier.
模式 的 运作
f
(ghz)
V
CC
(v)
P
L
(w)
G
p
(db)
η
C
(%)
Z
i
; z
L
(
)
类-c; t
p
= 150
µ
s;
δ
= 5% 1.2 1.4 50
35
7
30 看 图 4
警告
产品 和 自然环境的 安全 - toxic 材料
这个 产品 包含 beryllium oxide. 这 产品 是 全部地 safe 提供 那 这 beo slab 是 不 损坏.
所有 persons who handle, 使用 或者 dispose 的 这个 产品 应当 是 知道 的 它的 nature 和 的 这 需要 安全
预防措施. 之后 使用, dispose 的 作 化学的 或者 特定的 waste 符合 至 这 regulations 应用 在 这 location 的
这 用户. 它 必须 从不 是 thrown 输出 和 这 一般 或者 domestic waste.
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