RZ1214B35Y_集成电路资料查询网

1997 二月 18 3
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 微波 电源 晶体管 RZ1214B35Y
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 134).
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
−
65 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 打开 根基
−
15 V
V
CES
集电级-发射级 电压 R
是
=0
Ω−
60 V
V
EBO
发射级-根基 电压 打开 集电级
−
3V
I
C
集电级 电流 (直流) t
p
≤
150
µ
s;
δ≤
5%
≤−
3A
P
tot
总的 电源 消耗 T
mb
≤
75
°
c;
t
p
≤
150
µ
s;
δ≤
5%
−
125 W
T
stg
存储 温度
−
65 +200
°
C
T
j
运行 接合面 温度
−
200
°
C
T
sld
焊接 温度 在 0.2 mm 从 这 情况;
t
≤
10 s
−
235
°
C
图.2 电源 减额 曲线.
t
p
=
150
µ
s;
δ=
5%.
handbook, halfpage
0 50 100 200
150
50
0
100
150
MGD974
P
tot
(w)
T
mb
(
°
c)

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1997 二月 18 3 飞利浦半导体产品规格 npn 微波电源晶体管 RZ1214B35Y 限制的值在一致和这绝对最大比率系统 (iec 134). 标识参数情况最小值最大值单位 V CBO 集电级-根基电压打开发射级 − 65 V V CEO 集电级-发射级电压打开根基 − 15 V V CES 集电级-发射级电压 R 是 =0 Ω− 60 V V EBO 发射级-根基电压打开集电级 − 3V I C 集电级电流 (直流) t p ≤ 150 µ s; δ≤ 5% ≤− 3A P tot 总的电源消耗 T mb ≤ 75 ° c; t p ≤ 150 µ s; δ≤ 5% − 125 W T stg 存储温度 − 65 +200 ° C T j 运行接合面温度 − 200 ° C T sld 焊接温度在 0.2 mm 从这情况; t ≤ 10 s − 235 ° C 图.2 电源减额曲线. t p = 150 µ s; δ= 5%. handbook, halfpage 0 50 100 200 150 50 0 100 150 MGD974 P tot (w) T mb ( ° c)

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