S12MD3_集成电路资料查询网

s12md1v/s12md3
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
1
2
5
10
20
50
100
200
500
50˚C
25˚C
0˚C
- 25˚C
图. 3 向前 电流 vs. 向前 电压
向前 电流 i
F
(
毫安
)
向前 电压 v
F
(
V
)
T
一个
= 75˚C
-
30 0 20406080100
0
1
2
3
4
20k
Ω
50k
Ω
图. 4 最小 触发 电流 vs.
包围的 温度
最小 触发 电流 i
FT
(
毫安
)
包围的 温度 t
一个
(
˚C
)
V
D
=6V
R
L
= 100
Ω
5
6
1 2 5 10 20 50 100 200
1
2
5
10
20
50
图. 5 最小 触发 电流 vs.
门 阻抗
最小 触发 电流 i
FT
(
毫安
)
门 阻抗 r
G
(
K
Ω
)
-
30 0 20406080100
0
100
200
300
400
500
600
20k
Ω
50k
Ω
100k
Ω
图. 6 破裂 在 电压 vs.
破裂 在 电压 v
BO
(
V
)
包围的 温度 t
一个
(
˚C
)
R
G
= 10k
Ω
0 20406080100
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
20k
Ω
50k
Ω
图. 8 支持 电流 vs.
包围的 温度
支持 电流 i
H
(
毫安
)
包围的 温度 t
一个
(
˚C
)
V
D
=6V
R
G
= 10k
Ω
0 20406080100
1
2
5
10
20
50
100
20k
Ω
50k
Ω
图. 7 核心的 比率 的 上升 的 止-状态
电压 vs. 包围的 温度
包围的 温度 t
一个
(
˚C
)
R
G
= 10k
Ω
2
DRM
= 1/ • 评估
V
D
=6V
R
L
= 100
Ω
T
一个
= 25˚C
核心的 比率 的 上升 的 止-状态 电压
包围的 温度
R
G
=
10k
Ω
V
dv/dt
(
v/
µ
s
)

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s12md1v/s12md3 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 1 2 5 10 20 50 100 200 500 50˚C 25˚C 0˚C - 25˚C 图. 3 向前电流 vs. 向前电压向前电流 i F ( 毫安 ) 向前电压 v F ( V ) T 一个 = 75˚C - 30 0 20406080100 0 1 2 3 4 20k Ω 50k Ω 图. 4 最小触发电流 vs. 包围的温度最小触发电流 i FT ( 毫安 ) 包围的温度 t 一个 ( ˚C ) V D =6V R L = 100 Ω 5 6 1 2 5 10 20 50 100 200 1 2 5 10 20 50 图. 5 最小触发电流 vs. 门阻抗最小触发电流 i FT ( 毫安 ) 门阻抗 r G ( K Ω ) - 30 0 20406080100 0 100 200 300 400 500 600 20k Ω 50k Ω 100k Ω 图. 6 破裂在电压 vs. 破裂在电压 v BO ( V ) 包围的温度 t 一个 ( ˚C ) R G = 10k Ω 0 20406080100 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 20k Ω 50k Ω 图. 8 支持电流 vs. 包围的温度支持电流 i H ( 毫安 ) 包围的温度 t 一个 ( ˚C ) V D =6V R G = 10k Ω 0 20406080100 1 2 5 10 20 50 100 20k Ω 50k Ω 图. 7 核心的比率的上升的止-状态电压 vs. 包围的温度包围的温度 t 一个 ( ˚C ) R G = 10k Ω 2 DRM = 1/ • 评估 V D =6V R L = 100 Ω T 一个 = 25˚C 核心的比率的上升的止-状态电压包围的温度 R G = 10k Ω V dv/dt ( v/ µ s )

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