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这 photocurrent 生产 用 一个 给 水平的 的 incident
明亮的 varies 和 这 wavelength. 这个 relation 在
这 photoelectric 敏锐的 和 wavelength 是 涉及 至
作 这 谱的 回馈 典型的 和 是 表示
在 条款 的 photo 敏锐的, quantum 效率, 等
这 quantum 效率 是 这 号码 的 electrons 或者
孔 那 能 是 发现 作 一个 photocurrent 分隔 用
这 号码 的 这 incident photons. 这个 是 commonly
表示 在 百分比 (%). 这 quantum 效率 和
photo 敏锐的 s 有 这 下列的 relationship 在 一个
给 wavelength (nm):
λ
: wavelength (nm)
s: photo 敏锐的 在 wavelength
λ
(一个/w)
1. 谱的 回馈
这个 measure 的 敏锐的 是 这 比率 的 radiant 活力
表示 在 watts (w) incident 在 这 设备, 至 这 re-
sulting photocurrent 表示 在 amperes (一个). 它 将 是
represented 作 也 一个 绝对 敏锐的 (一个/w) 或者 作
一个 相关的 敏锐的 normalized 为 这 敏锐的 在 这
顶峰 wavelength, 通常地 表示 在 百分比 (%) 和
遵守 至 这 顶峰 值. 为 这 目的 的 我们的 psd
数据 薄板 (separately 有), 这 photo 敏锐的
是 represented 作 这 绝对 敏锐的, 和 这 规格-
tral 回馈 范围 是 定义 作 这 区域 在 这个 这
相关的 敏锐的 是 高等级的 比 5 % 的 这 顶峰 值.
2. photo 敏锐的: s
qe =
×
100 [%]
S
×
1240
λ
这个 是 这 阻抗 在 opposing electrodes 在 一个
dark 状态. 这 interelectrode 阻抗 是 一个 重要的
因素 那 确定 这 回馈 速, 位置 res-
olution 和 饱和 photocurrent.
这 interelectrode 阻抗 是 量过的 和 0.1 v ap-
plied 横过 这 opposing electrodes 和 这 一般
electrode left 打开. 当 测量 这 interelectrode re-
sistance 的 二-dimensional psds, 这 输出 electrodes
其它 比 这 opposing electrodes 下面 度量
是 left 打开.
7. interelectrode 阻抗: rie
当 一个 反转 电压 是 应用 至 一个 psd, 一个 slight cur-
rent flows 甚至 在 一个 dark 状态. 这个 是 termed 这 dark
电流 和 是 一个 源 的 噪音. 这 dark 电流 列表 在
我们的 psd 数据 薄板 (separately 有) 是 这 总的
dark 电流 值 量过的 从 所有 输出 electrodes.
8. dark 电流: i
D
一个 电容 是 formed 在 这 pn 接合面 的 一个 psd 和 它的
电容 是 called 这 接合面 电容. 这 ter-
minal 电容 是 这 总 的 这 接合面 电容
加 这 包装 偏离 电容, 和 是 一个 因素 在
determining 这 回馈 速. 这 终端 capaci-
tance 列表 在 我们的 psd 数据 薄板 是 这 总的 capaci-
tance 值 量过的 从 所有 输出 electrodes.
9. 终端 电容: ct
这 上升 时间 是 定义 作 这 时间 必需的 为 这 psd
输出 至 上升 从 10 至 90 % 的 这 稳步的 输出 水平的,
当 一个 步伐 函数 明亮的 是 输入 至 这 psd. 这 上升
时间 取决于 在 这 incident 明亮的 wavelength, 加载
阻抗, 明亮的 incident 位置 和 反转 电压,
和 是 量过的 下面 这 下列的 情况.
·
明亮的 源 :
λ
=890 nm
·
incident spot 明亮的 :
φ
1 mm
·
incident 明亮的 位置: 中心 要点 的 psd
·
加载 阻抗 : 1 k
Ω
(连接 至 所有 输出 electrodes)
10. 上升 时间: tr
这个 是 这 最大 photocurrent 值 得到 从 一个
psd 作 长 作 它 安静的 功能 作 一个 位置 传感器.
这个 值 取决于 在 这 反转 电压 和 interelec-
trode 阻抗, 和 是 定义 作 这 总的 photocurrent
当 这 全部 起作用的 范围 是 illuminated.
11. 饱和 photocurrent: ist
增加 这 反转 电压 应用 至 一个 psd 能
导致 它 至 损坏 在 一个 确实 水平的 和 结果 在 se-
vere deterioration 的 psd 效能. 至 避免 这个,
这 最大 反转 电压 是 指定 作 这 abso-
lute 最大 比率 (这个 值 必须 不 是 超过
甚至 短促地) 在 一个 反转 电压 somewhat 更小的
比 这 损坏 电压.
12. 最大 反转 电压: v
R
最大值
3. quantum 效率: qe
如果 一个 明亮的 beam strikes 这 电的 中心 的 一个 psd, 这 sig-
nal 电流 提取 从 这 输出 electrodes 是 equal.
当 这个 电的 中心 是 viewed 作 这 origin, 这 posi-
tion 发现 错误 是 定义 作 这 区别 在 这
位置 在 这个 这 明亮的 是 的确 incident 在 这 psd
和 这 位置 计算 从 这 psd 输出. measure-
ment 情况 为 位置 发现 错误 是 作 跟随:
明亮的 源 :
λ
=890 nm
incident spot 明亮的:
φ
200 µm
Photocurrent : 10 µa
5. 位置 发现 错误
这个 是 这 最小 detectable displacement 的 一个 spot 明亮的
incident 在 一个 psd, 和 是 表示 作 一个 距离 在 这
psd 表面. 决议 是 mainly 决定 用 这 s/n
和 给 用
“
阻抗 长度
×
噪音 / 信号
”
. 这
决议 值 列表 在 我们的 psd 数据 薄板 (separately
有) 是 计算 为基础 在 这 rms 值 为
噪音 量过的 下面 这 下列的 情况.
·
interelectrode 阻抗: 典型 值
(列表 在 这 数据 薄板)
·
Photocurrent : 1
µ
一个
·
频率 带宽 : 1 khz
·
相等的 噪音 输入 电压 至 电路: 1
µ
V
6. 位置 决议:
∆
R
这个 是 这 距离 在 electrodes 在 一个 psd 和 是
使用 至 计算 这 位置 从 这 psd 输出. 这
阻抗 长度 是 相等的 至 这 起作用的 范围 大小,
除了 为 这 管脚-cushion 类型 (改进 tetra-lateral
类型) 谁的 阻抗 长度 是 表示 用 这
距离 的确 使用 至 计算 这 位置.
4. 阻抗 长度: l
描述 的 条款
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