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一个 psd basically 组成 的 一个 uniform resistive layer
formed 在 一个 或者 两个都 surfaces 的 一个 高-阻抗 semi-
conductor 基质, 和 一个 一双 的 electrodes formed 在
两个都 ends 的 这 resistive layer 为 extracting 位置
信号. 这 起作用的 范围, 这个 是 也 一个 resistive layer,
有 一个 pn 接合面 那 发生 photocurrent 用 意思
的 这 photovoltaic 效应.
KPSDC0010EA
KPSDC0006EA
用 finding 这 区别 或者 比率 的 ix
1
至 ix
2
, 这 明亮的 输入
位置 能 是 得到 用 这 formulas (1-3), (1-4), (1-7)
和 (1-8) irrespective 的 这 incident 明亮的 强烈 水平的
和 它的 改变. 这 明亮的 输入 位置 得到 here cor-
responds 至 这 中心-的-gravity 的 这 明亮的 beam.
图示 1-1 显示 一个 sectional 视图 的 一个 psd 使用 一个 简单的
illustration 至 explain 这 运行 principle. 这 psd 有
一个 p-类型 resistive layer formed 在 一个 n-类型 高-resistive
硅 基质. 这个 p-layer serves 作 一个 起作用的 范围 为
photoelectric 转换 和 一个 一双 的 输出 electrodes
是 formed 在 这 两个都 ends 的 这 p-layer. 在 这
backside 的 这 硅 基质 是 一个 n-layer 至 这个 一个
一般 electrode 是 连接. basically, 这个 是 这
一样 结构 作 那 的 管脚 photodiodes 除了 为 这
p-类型 resistive layer 在 这 表面.
当 一个 spot 明亮的 strikes 这 psd, 一个 electric 承担
均衡的 至 这 明亮的 强烈 是 发生 在 这
incident 位置. 这个 electric 承担 是 驱动 通过 这
resistive layer 和 collected 用 这 输出 electrodes x
1
和 x
2
作 photocurrents, 当 正在 分隔 在 inverse
份额 至 这 距离 在 这 incident 位置
和 各自 electrode.
这 relation 在 这 incident 明亮的 位置 和 这
photocurrents 从 这 输出 electrodes x
1
, x
2
是 给 用
这 下列的 formulas.
l
当 这 中心 要点 的 psd 是 设置 在 这 origin:
l
当 这 终止 的 psd 是 设置 在 这 origin:
io : 总的 photocurrent (i
X1
+ i
X2
)
I
X1
: 输出 电流 从 electrode x
1
I
X2
: 输出 电流 从 electrode x
2
L
X
: 阻抗 长度 (长度 的 这 起作用的 范围)
X
一个
:
距离 从 这 电的 中心 的 psd 至 这 明亮的 输入 位置
X
B
:
距离 从 这 electrode x
1
至 这 明亮的 输入 位置
在 这 在之上 formula, i
X1
和 i
X2
是 这 输出 电流
得到 从 这 electrodes 显示 在 图示 2-2.
l
位置 转换 formula (看 图示 2-2.)
二-dimensional psds 是 grouped 用 结构 在 duo-
lateral 和 tetra-lateral 类型. among 这 tetra-lateral 类型
psds, 一个 管脚-cushion 类型 和 一个 改进 起作用的 范围
和 electrodes 是 也 提供. (看
“
3-3
”
.) 这 位置
转换 formulas slightly differ 符合 至 这 psd
结构. 二-dimensional psds 有 二 pairs 的 输出
electrodes, x
1
, x
2
和 y
1
, y
2
.
3-1 duo-lateral 类型 psd
在 这 duo-lateral 类型, 这 n-layer 显示 在 这 sectional
视图 的 图示 1-1 是 processed 至 表格 一个 resistive layer,
和 二 一双 的 electrodes 是 formed 在 两个都 surfaces 作
x 和 y electrodes arranged 在 正确的 angles. (看 图示
3-1.) 这 x 位置 信号 是 提取 从 这 x elec-
trodes 在 这 upper 表面, 当 这 y 位置 信号
是 提取 从 这 y electrodes 在 这 bottom 表面.
作 显示 在 图示 3-1, 一个 photocurrent 和 一个 极性 运算-
posite 那 的 这 其它 表面 是 在 各自 表面, 至 pro-
duce 信号 电流 两次 作 大 作 这 tetra-lateral 类型
和 达到 一个 高等级的 位置 决议. 在 增加, 当
对照的 至 这 tetra-lateral 类型, 这 duo-lateral 类型 的-
fers 极好的 位置 发现 特性 因为
这 electrodes 是 不 在 关闭 proximity. 这 明亮的 输入
位置 能 是 计算 从 转换 formulas (3-1)
和 (3-2).
图示 2-1 结构 chart, 相等的 电路 (一个-dimensional psd)
图示 2-2
起作用的 范围 chart (一个-dimensional psd)
KPSDC0005EA
图示 1-1 psd sectional 视图
I
X2
=
= ............ (1-3)
I
X2
-I
X1
I
X1
+I
X2
2X
一个
L
X
= .............. (1-4)
I
X1
I
X2
L
X
- 2X
一个
L
X
+ 2X
一个
= ...... (1-7)
I
X2
-I
X1
I
X1
+I
X2
2X
B
- l
X
L
X
= ........ (2-1)
I
X2
- i
X1
I
X1
+ i
X2
2
x
L
X
= ................ (1-8)
I
X1
I
X2
L
X
-X
B
X
B
I
X1
=
.
io ............. (1-5)
L
X
-X
B
L
X
I
X2
=
.
io ................. (1-6)
X
B
L
X
典型的 和 使用
1.基本 principle
2. 一个-dimensional psd
3. 二-dimensionalPSD
I
X1
=
L
X
2
L
X
......... (1-1)
×
Io
- x
一个
L
X
2
L
X
...... (1-2)
×
Io
+ x
一个
输出 i
X1
PHOTOCURRENT
X
B
INCIDENT
明亮的
p layer
阻抗 长度 l
X
一般
ELECTRODE
X
一个
输出 i
X2
electrode x
1
electrode x
2
i layer
n layer
L
X
X
1
X
2
起作用的 范围
x
P
D
C
j
Rsh
Rp
: 电流 发生器
: 完美的 二极管
: 接合面 电容
: 调往 阻抗
: 安置 阻抗
PDC
j
Rsh
Rp
CATHODE
(一般)
anode (x
2
)
anode (x
1
)
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