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s22md1v/s22md3
0 20406080100
1
2
5
10
20
50
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图. 7 核心的 比率 的 上升 的 止-状态
电压 vs. 包围的 温度
包围的 温度 t
一个
(
˚C
)
R
G
= 20k
Ω
V
DRM
= 1/     评估
2
0 20406080100
2
5
2
5
2
5
图. 9 repetitive 顶峰 止-状态 电流 vs.
DRM
(
一个
)
包围的 温度 t
一个
(
˚C
)
V
DRM
= 评估
R
G
= 20k
Ω
2
5
10
-6
10
-7
10
-8
核心的 比率 的 上升 的 止-状态 电压
包围的 温度
repetitive 顶峰 止-状态 电流 i
-
30 0 20406080100
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
20k
Ω
50k
Ω
图. 8 支持 电流 vs.
包围的 温度
支持 电流 i
H
(
毫安
)
包围的 温度 t
一个
(
˚C
)
R
G
= 10k
Ω
V
D
=6V
dv/dt
(
v/
µ
s
)

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s22md1v/s22md3 0 20406080100 1 2 5 10 20 50 100 图. 7 核心的比率的上升的止-状态电压 vs. 包围的温度包围的温度 t 一个 ( ˚C ) R G = 20k Ω V DRM = 1/ 评估 2 0 20406080100 2 5 2 5 2 5 图. 9 repetitive 顶峰止-状态电流 vs. DRM ( 一个 ) 包围的温度 t 一个 ( ˚C ) V DRM = 评估 R G = 20k Ω 2 5 10 -6 10 -7 10 -8 核心的比率的上升的止-状态电压包围的温度 repetitive 顶峰止-状态电流 i - 30 0 20406080100 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 20k Ω 50k Ω 图. 8 支持电流 vs. 包围的温度支持电流 i H ( 毫安 ) 包围的温度 t 一个 ( ˚C ) R G = 10k Ω V D =6V dv/dt ( v/ µ s )

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